[参考译文] DS90UB929-Q1：I2C EDID 更新

您好、Alan、

您能否共享用于尝试对 SRAM 进行编程的脚本？

此致、

Casey  

感谢您的回复。

希望伪代码是合理的。

若要读取 EDID (结果与数据表100%匹配、适用于所有256个默认 EDID 字节)、请执行以下操作：

将0x00写入 ADR0_0x49。

循环以下256次：

｛将0x0F 写入 APB_CTL_0x48

从 APB_DATA0_0x4B 读取数据｝

这包括所有预期的在 I2C 上进行的插孔和重新启动。

对于写入 EDID、我尝试了一次和多次写入(使用自动递增)。  下面是我要尝试多个器件的情况：

将0x00写入 ADR0_0x49。

循环以下 n 次(我最初尝试 n=8次写入以验证)：

｛将0x0D 写入 APB_CTL_0x48

将 EDID[n]写入 APB_DATA_0x4B｝

同样、我将看到所有预期的"黑客"和"循环"、毫无例外。

我觉得一定会有一些容易遗漏的东西。

谢谢。

您好、Alan、

这个过程看起来是正确的-我在 EVM 上尝试过它、没有发现任何问题。 您能告诉我您的 MODE_SEL 自举设置为什么吗？

此致、

Casey

Mode_Sel0和 Mode_Sel1均被拉低。  已验证二者均为0VDC。

与您的问题无关、但仅在以下情况下：IDX 设置为分频器(根据数据表)：82.5K 至3.3VDC、102K 接地、从而产生.986VDC。 这用于8位地址0x28。

谢谢、

Alan

Alan、

好的、我当时真的很想知道为什么这不适合你。 您能否发送完整的脚本、然后我可以在我们的 EVM 硬件上运行、看看我是否看到您看到的内容？

此致、

Casey  

由于我正在从 NXP LPC 运行单个主 I2C 总线、因此不确定我可以发送的内容是否适用于您的 EVM。

总之、目前没有任何东西可以解锁 EDID 的写入或将写入的数据提交到 EDID？  进行更改确实像听起来一样简单？

我觉得在 ctrl 中设置读取标志对于读取很重要、但没有这样的障碍需要写入、这一点很有趣。

我还没有尝试在8位地址0xA0向 EDID 从器件 I2C 发送更新、也没有使用自动增量。  我想使用这个方法、我必须循环写入 EDID 索引、然后写入数据...因此相对于自动递增没有太多优势？

您好、Alan、

我不知道会锁定 SRAM 访问的任何内容。 不过、在此之前是否对其他内容进行编程？ 如果需要、我们可以对此进行审查。 按照我尝试使用和不使用自动递增的方式、使用您所描述的过程、这两种情况都未显示此类问题  

此致、

Casey