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[参考译文] DP83869HM：DP83869HMRGZT RGMII 至 SGMII 模式

admin
Guru**** 2451280 points
Other Parts Discussed in Thread: DP83869HM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1033370/dp83869hm-dp83869hmrgzt-rgmii-to-sgmii-mode

器件型号：DP83869HM

HII、

我想在 SGMII 至 RGMII 桥接模式下使用 DP83869HMRGZT

 在此模式下、对于 TD_P/M 引脚有何建议？  

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    你好 

    感谢您的查询。

    如果您可以提供一些其他详细信息、以了解有助于满足的要求。

    我假设您询问 SGMII 信号应如何谨慎。

    SGMII 信号需要进行交流耦合、并且必须放置在靠近接收器的位置。

    如果任何差分信号都有自举、则必须在另一条线路上放置类似的虚拟自举

    在设计过程中将其视为差分线路。

    此致。

    Sreenenvasa

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好！

    您能否查看随附的设计并建议是否进行任何更改？

    我已将3.3V 连接为 VDDIO、它是否支持所需的配置？e2e.ti.com/.../ETH_5F00_RGMII-to-SGMII.pdf

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好 Ranjini、  

    感谢您的参与。 我将进行回顾。

    您是否没有为 SGMII 放置交流电容器-我在原理图中没有看到它们。

    我 已将3.3V 连接为 VDDIO、它是否支持所需的配置-请解释您的意思。

    此致、

    Sreenivasa

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好！

    交流电容位于原理图的另一端。

     关于 VDDIO 电压-请忽略 SIR。

    此致、

    Ranjini  

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好 Ranjini、  

    感谢您的参与、无需担心。

    请注意、交流电容必须靠近接收器放置-这意味着输入电容必须靠近 PHY。

    我将在星期三之前审查并提供我的意见。

    此致、

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好、先生、

    当然会处理电容器的放置。

    谢谢你   

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好 Ranjini、

    注意到。  

    此致、

    Sreenivasa

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    e2e.ti.com/.../7266.ETH_5F00_RGMII-to-SGMII.pdf

    您好 Ranjini、

    请查找附件。

    我假设这是一个 RGMII 至100Base-FX 模块。

    此致、

    Sreenivasa

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好、先生、

    I Wan 将其用作 SGMII 至 RGMII 桥接器

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好 Ranjini、

    感谢您的告知。 看起来不错。

    此致、

    Sreenivasa

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好！

    谢谢主席先生。 您的反馈。

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好！

    如果您能提供帮助、我有几个问题  

    未使用的 JTAG 信号的端接-到 GND？

    为 RBIAS 添加一个并联的33pF 电容  

     对于每个电源轨，只有两个10uF 和10nF 电容就足够了？

    此致、

     Ranjini

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好 Ranjini、  

    请参阅下面的电源去耦和 JTAG。 将一个33pF 与 RBIAS 电阻器(R429)并联。 这专门在合规性测试期间提高了器件性能。

    。  

    此致、

    Sreenivasa

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    TI__Guru**** 2451280 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    感谢您的参与。

    我将使用 2个 DP83869HM。 在 RGMII 至 Copper 模式和 RGMII 至 SGMII 桥接模式下(实施反馈点)

    您能不能查看随附的设计。  

    此致、

    Ranjini.Re2e.ti.com/.../7673.ETH.pdf

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    您好 Ranjini、

    感谢大家分享原理图。

    我进行了快速回顾以支持项目时间表、  

    我在原理图中嵌入了注释。 建议在屏蔽和电路接地之间放置一个电容、如下所示。  还建议使用一个安装孔将护罩连接到外部接地。  

    e2e.ti.com/.../4214.ETH.pdf

    此致、

    Sreenivasa

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    TI__Guru**** 2451280 points
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    谢谢你。  非常感谢您的支持。