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[参考译文] DS80PCI800:交流耦合电容器的位置?

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: DS80PCI800
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1034768/ds80pci800-location-of-ac-coupling-capacitor

器件型号:DS80PCI800

你(们)好。

在布局 PCIe3.0时,交流电容器的位置经常使我感到困惑。 我在这个论坛上搜索、根据不同的经验找到了各种答案。  

我了解了 PCIe 基本规范(下图)、 定义了两种情况:

(1) TX 和 RX 芯片都在同一电路板上、规格要求的交流电容可位于通道的任意位置。 不确定这是否正确、因为我看到大多数实际设计都将电容器尽可能靠近 TX 或 RX 芯片。  

(2)插件卡架构、TX 和 RX 芯片位于不同的电路板上、存在连接器。  该规范仅要求在 TX 侧放置交流电容、我认为这还不够。 电容器应靠近 TX 芯片或连接器吗? 正如我看到的大多数实际设计(如某些商用 PC 主板)、交流电容器通常放置在连接器附近。 不明白原因。 我认为接近芯片会更有利于信号完整性。

如果有专家能帮助解释相关问题、请表示感谢。 谢谢!

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    您好!

    1)。 当 TX 和 RX 芯片都在同一电路板上时、建议将交流耦合电容尽可能靠近 RX。 这是因为 RX ESD 结构会产生阻抗压降。 交流耦合电容垫也会导致阻抗下降、但通常不像接收器的 ESD 结构那样受到太大的影响。 因此、将电容器靠近 RX 会导致因电容器膨胀而产生的阻抗压降、或者相对于 ESD 阻抗压降、该值可以忽略不计。

    2)。 当有 PCIe 插卡时、建议将电容器放置在 TX 侧并靠近连接器-主要原因与上面#1中提到的原因相同。

    此致、、Nasser

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    您好、Nasser、  

    您提到"将电容器放置在靠近 RX 的位置会导致电容器膨胀导致阻抗下降、或者相对于(RX 的) ESD 阻抗压降/连接器阻抗压降、电容器可忽略不计"、   

    这句话的定性理解如下、只是为了确认我没有误解您的意思:  

    交流电容、RX ESD 结构和连接器均可视为 PCB 布线上已停产的阻抗点。  如果将它们放置得足够近、  则由交流电容(较小)和 RX ESD 结构(较大)引起的阻抗压降可能会被视为 一个停产的阻抗点、因此这更有利于信号完整性。  

    顺便说一下、我认为您的答案适用于一般情况、包括但不限于 DS80PCI800。  

    再次感谢。

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    您好!

    您的理解是正确的。

    此致、、Nasser