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器件型号：TMUXHS4212 我们计划在 PCIe Gen3链路上将 TMUXHS4212用作多路复用器(8Gbps)。 链接的一部分按如下方式连接：
NVMe SSD 模块的交流耦合 Tx 连接到 TMUXHS4212的输入端、TMUXHS4212的输出端连接到 PCIe 转接驱动器的输入端。 PCIe 转接驱动器的共模电压约为3.2V、因此由于 TMUXHS4212的0-1.8V 共模电压输入范围、这可能无法正常工作。
计划在 TMUXHS4212和 PCIe 转接驱动器输入之间添加交流耦合电容器。
我的问题是关于 TMUXHS4212和转接驱动器之间的交流耦合电容器的值。 根据 PCIe Gen3规范、交流耦合电容器的范围应为176nF 至265nF、这可能也是 NVMe SSD Tx 上交流耦合电容器的值。 通过在 TMUXHS4212和转接驱动器之间添加一个交流耦合电容器、即使 PCB 轨道和 TMUXHS4212之间有几厘米的距离、此电容器也将与 SSD 模块上的电容器串联。
对于 TMUXHS4212和转接驱动器之间的交流耦合电容器、您建议使用什么值？
