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[参考译文] DS125DF111:SMBus ADDR 和 DONE 功能

Guru**** 2386460 points
Other Parts Discussed in Thread: DS125DF111
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/973760/ds125df111-smbus-addr-and-done-function

器件型号:DS125DF111

我在 从 EEPROM 引导的应用中使用 DS125DF111、然后应根据数据表切换到 SMBus 从模式。 我将 ENSMB 引脚(引脚3)悬空、并将 SMBus 地址设置为0x34、该地址将引脚10 (ADDR1_VODB_DONE_N)连接到 VCC。 我发现引脚10上的任何上拉电阻(1k、22k、51k)都会导致器件无法从 EEPROM 正确引导。 我还尝试将 SMBus 地址设置为0x36、但同样、DONE 引脚上的上拉电阻会导致器件无法从 EEPROM 引导。 我可以移除这些上拉电阻器、以便器件从 EEPROM 成功引导、但由于地址无效、因此无法通过 SMBus 进行通信。 您能否告知我为何无法将 SMBus 地址设置为0x34或0x36、并且仍然从 EEPROM 引导?

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    Joe、您好!

    您能否阐明器件在无法从 EEPROM 正确引导时的行为?  当 ADDR1被拉至高电平时、是否没有尝试读取 EEPROM?  您能否验证 READEN (引脚9)是否已下拉至 GND?

    谢谢、

    Drew Miller

    HSSC 应用工程师

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    我可以验证引脚9 (Voda_READEN_N)是否通过1k 电阻器拉至接地。 当 SMBus ADDR 设置为0x34或0x36时、器件的行为是没有 CDR 锁定、因此仅在器件输出端产生噪声。 使用 SIGCON GUI 查看时、内部寄存器设置也不正确。 我可以使用 SIGCON GUI 复位器件、然后手动对寄存器进行编程、这样当 DONE 引脚在引导时处于高电平状态时、它将起作用、看起来 EEPROM 读取和后续内部寄存器设置会受到影响。 或者、如果 SMBus 地址为0x30或0x32、一切都正常、EEPROM 编程 SMBus 通信。 只有在引导时将 DONE 引脚拉至高电平时才会出现问题。  

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    Joe、您好!

    如果 SMBus 主模式 EEPROM 编程过程适用于重定时器从地址0x32或0x30、您可能会遇到一些硬件设置问题或 SMBus 冲突。

    此致、

    Rodrigo Natal

    HSSC 应用工程师

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    正确、TI 芯片存在硬件问题、在这种问题中、它似乎无法与地址0x34或0x36一起使用、并且仍然从 EEPROM 引导。 如果您觉得问题在我身边、我很乐意与您分享我的原理图以供审核。 您的硬件工程师是否在 TI 提供的评估板上测试了这种确切的方案?

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    Joe、您好!

    TI 使用多个 ADDR 引脚配置验证了重定时器主模式编程过程并确认其工作正常。

    我们怀疑您使用的 hex 文件可能存在问题。  具体而言、为了使主模式编程过程正常工作、必须在 I_SMB_ADDR 位置2和3中实现有效的地址映射标头数据。 对于地址为0x34或0x36的器件、 您必须在偏移位置具有有效的地址映射标头。 请参阅以下链接中 TI 应用手册的表4。

    https://www.ti.com/lit/an/snla245/snla245.pdf

    谢谢、

    Rodrigo Natal

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    Rodrigo、

    感谢您的解释。 我现在了解这个问题。 我无法识别每个 SMBus 地址都有一组地址存储器映射位置的起始点。