[参考译文] TPS25750EVM：TPS25750EVM 的灌电流能否超过5A？

您好、Yaita-San、

Chuck 将于周三停用。 他将在本周晚些时候跟进您。

谢谢、

Emma

尊敬的 Emma-San：

好的。 我将等待 反馈。

此致、
雅丽塔

雅丽塔

我将把这个问题传递给充电器团队。  他们比我更了解这个部分。

卡盘

雅丽塔

我确实注意到您将 TPS25750的主端口连接到 MCU。  TPS 25750不支持多主控总线、因此如果您计划使用 MCU 对 BQ25731进行重新编程、这可能是一个问题。

您好、Yaita-San、

我们将此问题转交给电池充电器团队、以便与您联系。  

谢谢、

Emma

BQ25731可以灌入超过5A 的电流、只需将 IIN_HOST 寄存器设置为输入电流限制即可。 借助5m Ω 电流感应、最大输入电流可达到10A 最大值

你(们)好  

BQ25731数据表显示了 IIN_HOST 的默认值为0010_0000 (I2C 地址=0Fh)、输入电流为3200mA。
我认为3200mA 足以满足要求、因为在本例中、BQ25731的输入电压为20V。
BQ25731按如下方式操作降压转换器。
20V -> BQ25731 -> 4.2V (SYS_PWR)

您是否知道 BQ25731为什么使用 TPS25750EVM 将 SYS_PWR (4.2V)的灌电流限制为~5A？

此致、
雅丽塔

您好、Tiger San、

我的客户设置了您所提到的真实锂离子电池、但他无法为电池充电超过4.5A。



您是否知道充电电流为何受到限制？

此致、
雅丽塔

尝试通过设置 ChargeOption1 (0x00)位1=0来禁用 BQ25731 IINDPM。  

您好、Tiger San、

您能否告诉我 如何 通过使用 TPS25750 Application Customization Tool 设置 ChargeOption1 (0x00) bit 1=0来禁用 BQ25731 IINDPM？
关于 TPS25750EVM、我相信 TPS25750 Application Customization Tool 可管理 BQ25731。

此查询不适用于 BQ25731、而是适用于具有 TPS25750应用程序自定义工具的 TPS25750EVM。

此致、
雅丽塔

USB PD 规范不允许系统从 Type C 连接器消耗超过5A 的电流。 您能否隔离 BQ25731并使用 BQStudio/EV2400来访问 I2C 总线？

您好、Tiger San、

是的、我了解"USB PD 规范不允许系统从 Type C 连接器消耗超过5A 的电流"。
在这种情况 下、BQ25731会按如下方式操作降压转换器、因此不需要从 Type-C 连接器消耗超过5A 的电流。
BQ25731似乎将 SYS_PWR (4.2V)的灌电流~5A 限制在一定范围内。
20V -> BQ25731 -> 4.2V (SYS_PWR)

我的客户只有 TPS25750EVM、因此无法隔离 BQ25731。
我想知道如何  使用 TPS25750 Application Customization Tool 从 SYS_PWR 吸收超过5A 的电流。
换句话说、我想知道 TPS25750EVM 是否支持上述要求。

此致、
雅丽塔

抱歉、我不熟悉 TPS25750EVM。 也许、Chuck 可以评论吗？

卡盘- SAN、

您可以支持该问题吗？
这个问题大约一个月没有得到解决、我的客户正在等待 TI 工程师的意见。

如果您需要其他信息或有不清楚的内容、请告诉我。

此致、
雅丽塔

卡盘- SAN、

我了解"USB PD 规范不允许系统从 Type C 连接器消耗超过5A 的电流"。
在这种情况 下、BQ25731会按如下方式操作降压转换器、因此不需要从 Type-C 连接器消耗超过5A 的电流。
20V -> BQ25731 -> 4.2V (SYS_PWR)

您能否检查 TPS25750EVM 是否能够从  SYS_PWR 吸收超过5A 的电流？
换句话说、您能否检查  TPS25750EVM 是否可以充电超过5A？

此致、
雅丽塔

卡盘- SAN、

TI 是否已经评估 了  在应用配置工具中电池充电电压为4.2V 时 TPS25750EVM 的灌电流是否超过5A？
如果是、您能否分享结果？

我的客户 尚未实现目标、因此我们需要 TI 支持来解决此问题。
我在该主题的第一个帖子中发布了内容。  

此致、
雅丽塔

Yaita-San、

我将把这个支持转交给 TPS25731团队、因为这个问题似乎与我不是支持专家的充电器有关。

丘希-圣、

是否有办法解决这个问题？
我希望 TI 在  电池充电电压为4.2V 时检查 TPS25750EVM 是否可以从 SYS_PWR 吸收超过5A 的电流、并希望 TI 建议一种权变措施。
如果不可能、请告诉我。
我必须将内容通知我的客户。

此致、
雅丽塔

卡盘- SAN、

是否有任何更新？

此致、
雅丽塔

雅丽塔

 在 TPS25750协商 PDO 后、您可以更新 BQ25831的充电电流寄存器以更改充电电流

卡盘- SAN、

我的客户直接读取  BQ25731的 ChargeCurrent 寄存 器当他使用 TPS25750EVM 设置电池充电电流= 7.04A 时、他确认寄存器值如下。
03h=0d
02h=c0
=> 7.04A (4096mA+2048mA+512mA+256mA+128mA)



因此、问题与  BQ25731的 ChargeCurrent 寄存器无关、因为它设置正确。
您能否 再次查看此问题？

此致、
雅丽塔

卡盘- SAN、

请继续调查 TPS25750EVM 的灌电流不能超过5A 的原因吗？
我的客户强烈希望并希望知道问题属于硬件或软件。
从一开始，他们就计划 使用 TPS25750和 BQ25731开发移动电源应用(为单节锂离子电池充电~10A)，因此他购买了 TPS25750EVM。
关于充电终止、TPS25750EVM 不支持该功能、但 他现在考虑了自己的解决方案。

如果他们不知道问题的根本原因、他们别无选择、只能停止他们的发展。

此致、
雅丽塔

雅丽塔

该 EVM 包含有源电路、可防止充电器灌电流超过5A、从而符合 C/PD 类型。

BQ25231 EVM 可用于灌入高达16A 的电流以供参考。

卡盘

卡盘- SAN、

>该 EVM 包含有源电路，可防止充电器的电流吸入超过5A，以符合 C/PD 型要求。
它是否属于 TPS25750EVM 的硬件？
请告诉我它的详细信息吗？

此致、
雅丽塔

雅丽塔

我需要更详细地制定这个系统、并对此进行一些思考。  只要 C 型端口未被置位、就可以通过 I2C 覆盖充电电流。

我将在下周早些时候向您提出一项建议。  这是一个复杂的选项、需要对要使用的 TYPS25750主机接口进行大量工作。

卡盘- SAN、

感谢您的持续支持。
我将等待您的反馈。

此致、
雅丽塔

雅丽塔

您能否详细介绍针对您的实验对 EVM 所做的更改？

我看到图片中的连接器和12V 降压转换器已经发生了变化、但我想确保我知道您 从哪里开始

卡盘- SAN、

更改如下。

- 已卸下跳线 J5
-删除了 D2、D3、然后将线路短接
-已移除跳线  J1并 为 VIN_3V3提供外部3.3V 电压
-更改 了 CELL_BATPRESZ 电阻器(R27、R28)以满足以下要求


如果您需要其他信息或有不清楚的内容、请告诉我。

此致、
雅丽塔

雅丽塔

这一点很清楚。  修改后您可以充电、但我需要与充电器团队一起查看完整的原理图、以确保正确。

卡盘

卡盘- SAN、

感谢您的持续支持。
我将等待您团队的反馈。

此致、
雅丽塔

雅丽塔

从原理图中可以看到、它们应该能够更新 BQ25731的输入 ILIM 寄存器并更改支持的充电电流。  如果这不起作用、我必须联系我们的充电器团队以获得进一步的解释。

此致、

卡盘

卡盘- SAN、

我的客户 增加了 IIN_HOST 寄存器(0F/0Eh)的值、因为以下原因、没有任何改善。
2d00 (=4500mA)-> 3f00 (=6300mA)

他还确认 了 ChargerStatus 寄存器(21/20h)、并在灌电流受限时显示"8200"。
注意)当 e-load 灌电流低于4.5A 时、他确认寄存器显示"8400"。
您知道保留位表示什么吗？



此致、
雅丽塔

雅丽塔

我将与 BQ 充电器团队讨论这一点、并查看他们的建议。

卡盘- SAN、

当我的客户将 ChargeOption0寄存器(0x01)从0x05更改为0x07时、可以将灌电流从4.6A 增加到5.4A。
更改后的位为 PWM_FREQ。



为什么在 TPS25750EVM 中、尽管 L=4.7uH、但仍将800kHz 设置为默认值？
BQ25731数据表显示、建议在 L=4.7uH 的情况下使用400kHz。
在任何情况下、他还无法获得预期的灌电流。
你有更新吗？

此致、
雅丽塔

雅丽塔

我将查看寄存器设置。  它由 BQ 充电器团队提供。  我们将在下一次 GUI 更新时查看这些配置、因此可能会根据充电器团队的说法对其进行更改。

我们正在调试一个可能导致 TPS25750在适当的时间更新充电电流寄存器的问题。  我预计下周星期三将取得一些成果。

此致、

卡盘

尊敬的 Chuck-San：

请告诉我您是否有任何更新。

此致、
雅丽塔

Yaita-San、

客户是否已检查 VINDPM 寄存器？  我前面没有规格、但如果设置不正确、可能会导致您看到的问题。

此致、

卡盘

卡盘- SAN、

我的客户确认了 VINDPM 寄存器(0B/0Ah)的以下值。
0Bh：02h
0Ah：00h

值设置不正确吗？

此致、
雅丽塔

雅丽塔

对于 BQ25731、我们建议计算 VINDPM 的方法如下：

VINDPM =(975/1000)* VSINK_PDO–3200  

对于您的情况、VSINK_PDO 是您施加到充电器的输入电压。  所有值均以 mV 为单位。

此致、

卡盘

卡盘- SAN、

我的客户更改 了 VINDPM 寄存器(0B/0Ah)、如下所示、但结果是相同的、未显示任何改进。
0Bh：02h -> 3F
0Ah：00h -> C0
 施加到 BQ25731的输入电压为20000mV、因此设置为高于(=16320mV)。
注意)他还将 ChargeOption0寄存器(01h) 0x05更改为0x07、但 结果也相同。

我想知道更改 VINDPM 寄存器的背景。
 VINDPM 寄存器的功能如下、但是输入电压不会从20V 下降。  
------------------------
如果输入电压下降超过 InputVoltage 寄存器允许的值、则器件进入 VINDPM 并减小充电电流。
------------------------

此致、
雅丽塔

雅丽塔

我暂时将此主题传递给 BQ25731应用团队。  我对这一具体问题的深度不足。

卡盘- SAN、

我将等待您团队的反馈。

此致、
雅丽塔

将 VINDPM 设置为低电压阈值、这会有效地禁用 VINDPM。

如果输入电压未下降、则与 VINDPM 无关。  

我很困惑。
我的客户从一开始就确认了 VINDPM 寄存器(0B/0Ah)的以下值。 我相信、正如您所说、它已设置为低电压阈值。
0Bh：02h
0Ah：00h

我们更改了该值、因为我刚才听说建议在计算之后设置 VINDPM。
VINDPM =(975/1000)* VSINK_PDO–3200