This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1008709/ds26c31t-low-resistance-between-2-3-and-gnd-on-some-ics
您好！
我的客户一直在使用 DS26C31T。 当没有电源时、2/#3和 GND 之间的电阻约为1.8M Ω、但某些 IC 在工作一段时间后具有几个 k Ω 甚至几个欧姆。 即使电阻较低、它也能正常工作、但您认为 IC 已被 EOS 或 ESD 等损坏吗？
此致、
川崎市
川崎-圣
您的同事 Kurumi Hasegawa 也发布了另一个主题、其中对此进行了阐述。 我会将我本人和同事郝刘的答复放在这里。
"我会说、总线引脚到 GND 的阻抗显著下降、这可能会导致某种电气过载、从而损坏内部组件并导致路径短路/低阻抗。 但是、在我们跳至该结论之前、我想验证您的器件的条件。 那么、是否可以测量同一单元上的输出到 GND 电阻、然后测量另一个已知的"正常"单元上的输出到 GND 电阻、同时它们都未通电？"
"感谢您的详细反馈。 在这种情况下、IC 看起来确实损坏了。 您是否认为应用中可能会发生严重的 ESD 事件？ 通常、添加外部 TVS 或串行电阻有助于限制流入器件的电流过大。"
最后、Hasegawa-San 提到可能是电气过载、客户会考虑使用 TVS 二极管和其他保护器件。
Eric Hackett
