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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/882202/sn65hvd63-sn65hvd62-application-circuit-crystal
我们希望 将 SN65HVD63与具有 40pF 负载电容的8.704MHz 晶体搭配使用、这与评估板上具有12pF 负载电容的晶体不同。 您是否有任何建议用于40pF 负载电容晶体的电容值。 请告诉我。
谢谢、
瑞典
只要以正确的频率振荡、带有40pF 负载电容的晶振也应该工作。 典型应用(第17页) 中的示例值在数据表中为40pF。
BTW、您可以在 此处找到有关晶体(如寄生)的详细讨论。
www.ti.com/.../swra495g.pdf
如果您有更多问题、请告诉我。
此致、
Hao
在典型应用电路中、您是将40pF 指晶体的负载电容还是从 XTAL1/XTAL2到 GND 的电容值？
对于 40pF 负载电容晶体、XTAL1/XTAL2到 GND 之间是否可以使用39pF 电容器？
是的。 我很抱歉造成混淆。 我的观点是应用手册中的 C LOAD (CL=39pF/2)大于12pF、而不考虑 杂散电容器。 39pF 可用于40pF 负载晶体、具体取决于您可以容忍的 ppm 偏移量。
