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大家好、
根据数据表、钳位电压可超过10V。 我们的客户目前使用 TPD4E1B06作为保护二极管、该二极管位于以太网 RJ45连接器和以3.3V 电压运行的 MCU (具有内置以太网 PHY)之间。 如果您有兴趣阅读详细信息、请参阅此帖子。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/other/f/908/t/956641。 它有点长。 我们怀疑、高钳位电压可能允许的电压高于 MCU 的设计容许值、从而在 ESD 等事件中损坏器件。 要问的问题是、TPD4E1B06是否适合应用与 MCU 连接。 对于此类应用、建议使用什么器件?
您好、Charles、
如果 MCU 工作电压为3.3V、我建议使用 Vrwm 较低的器件来获得较低的钳位电压。 我会推荐 ESDS314。 它是一个4通道部件、具有3.6V Vrwm 和低得多的钳位电压(5.5V @ 16A (8kV ESD 冲击))。 这是否适合您客户的应用?
此致、
Matt Smith
您好、Hugh、
如果您想了解 ESD 保护、我将从 我们培训页面顶部包含5个部分的博客系列开始。 我们还在该页面上提供了视频系列和白皮书、这些内容更加详细。 我最喜欢的指南之一是 《系统级 ESD 保护指南》。
关于您向我展示的电压逐渐上升的情况、振荡是正常的还是感应事件? 如果正常工作电压仅为3.3V、则上升至约4.8V (峰值)的电压似乎非常奇怪
此致、
Matt Smith
您好、Matt
我将介绍推荐的资源。
整个问题都是根据我 的原始线程出现的。 长故事简述由于未知原因、我的定制板上的以太网 PHY 会随着时间的推移而降低。
作为调试的一部分、我们将信号线记录到 PHY 中、并看到了上述数据、我找不到其他任何关于10Base-T 以太网 PHY 信号应该是什么样的布线、它们似乎只是显示了差分信号。
需要注意的是、这些信号的电平似乎在高于3.3V 时浮动很大一部分、最终超出了 IO 引脚的建议运行条件。
如果没有进一步的信息、我不知道这是预期行为还是可能损坏我的芯片、 或者、如果它被单独的 ESD 事件损坏、请注意、通过读取 我在设计指南中使用的 ESD 保护选项(TPD4E1B06)、由于其高钳位电压、看起来不合适。
您好、Hugh、
感谢您的澄清、是的、我同意 TPD4E1B06钳位电压过高、无法满足您的需求。 我非常怀疑会发生多个 ESD 事件来造成这种过压情况。 但是、如果您发现问题与 ESD 有关、请随时再次对此主题作出响应。
此致、
Matt Smith