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器件型号： 您好！
我们在设计中使用 TCA9617B。
在 I2C 缓冲器时钟和数据信号时序中、I2C 读取写入正常、采用标准配置。
但下冲出现在缓冲器 B 侧的时钟和数据信号中。 在一侧未观察到击穿。
请建议如何减少 B 侧 CLK 和数据信号中的下冲
我在这里附上了供您参考的电路图和下冲图像。
此致、
Venkata Seshathri.S
您好！
我们在设计中使用 TCA9617B。
在 I2C 缓冲器时钟和数据信号时序中、I2C 读取写入正常、采用标准配置。
但下冲出现在缓冲器 B 侧的时钟和数据信号中。 在一侧未观察到击穿。
请建议如何减少 B 侧 CLK 和数据信号中的下冲
我在这里附上了供您参考的电路图和下冲图像。
此致、
Venkata Seshathri.S
[引用 user="venkataseshathri Sundaram"]
器件型号： TCA9617B
您好！
在 I2C 缓冲器时钟和数据信号时序中、I2C 读取写入正常、采用标准配置。
但下冲出现在缓冲器 B 侧的时钟和数据信号中。 在一侧未观察到击穿。
[BobbM] B 侧具有下降时间加速器、可在极短的时间内将信号快速驱动至 GND。
请建议如何减少 B 侧 CLK 和数据信号中的下冲
[BobbM]有两种常见的方法来实现这一目的。 第一种方法是在 B 侧和上拉电阻器之间放置一个小型串联电阻器。 第二种方法是将钳位二极管从 SDAB/SCLB 放置到 GND。 我过去曾建议使用 BAT54C、但它将取决于下冲发生时驱动的瞬时电流。
//a 不太常用的方法、我不建议添加总线电容来缩短下降时间、但 I2C 将快速模式+的最大总线电容限制为550pF、而快速模式的最大总线电容限制为400pF、因此这并不理想。
我在这里附上了供您参考的电路图和下冲图像。
此致、
Venkata Seshathri.S
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-Bobby
