请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:SN65LVDT101 主题中讨论的其他器件: SN65LVDS101EVM
您好!
对于 SN65LVDT101器件、数据表中的图40:
对于 R 值、如果每个值大约为110欧姆、则是输入阻抗电阻器。 如果不是、这些值应该是什么?
2.底部的电流源值应该是多少?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
对于 SN65LVDT101器件、数据表中的图40:
对于 R 值、如果每个值大约为110欧姆、则是输入阻抗电阻器。 如果不是、这些值应该是什么?
2.底部的电流源值应该是多少?
您好、Jaslin、
图40都是器件内部的。 图40中显示的输出结构是典型 LVPECL 输出级的输出结构、它只是一对发射极跟随器。 我不知道这些内部电阻器的确切值、但它们具有高阻抗、因此允许输出具有低阻抗。 请注意、无需为您的设计了解这些电阻器的值、因为该输出结构只是为了参考而显示。
再次说明、这是器件内部的。 我不知道确切的值、但由于结构是典型 LVPECL 输出级的结构、该值可能大约为~17mA。
此致、
I.K.