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[参考译文] SN65LVDT101:数据表图40问题

Guru**** 2471020 points
Other Parts Discussed in Thread: SN65LVDT101, SN65LVDS101EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/912828/sn65lvdt101-datasheet-figure-40-question

器件型号:SN65LVDT101
主题中讨论的其他器件: SN65LVDS101EVM

您好!

对于 SN65LVDT101器件、数据表中的图40:

对于 R 值、如果每个值大约为110欧姆、则是输入阻抗电阻器。  如果不是、这些值应该是什么?

2.底部的电流源值应该是多少?

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    您好、Jaslin、

    图40都是器件内部的。 图40中显示的输出结构是典型 LVPECL 输出级的输出结构、它只是一对发射极跟随器。 我不知道这些内部电阻器的确切值、但它们具有高阻抗、因此允许输出具有低阻抗。 请注意、无需为您的设计了解这些电阻器的值、因为该输出结构只是为了参考而显示。

    再次说明、这是器件内部的。 我不知道确切的值、但由于结构是典型 LVPECL 输出级的结构、该值可能大约为~17mA。

    此致、

    I.K.

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    I.K.

    感谢您的回答。  但我需要这些值、因为我在软件中对该电路进行建模。  我将为电阻器使用110欧姆、为电流源使用17mA。  您能不能告诉我图40中的正确原理图中是哪种类型的晶体管。  我需要知道确切的类型、以便能够对其建模。 谢谢。

    -Jaslin

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    您好、Jaslin、

    很抱歉、我无法披露有关晶体管的信息或数据表中所示之外的任何其他设计信息。  您是否能够改用 SN65LVDS101EVM 进行评估?

    此致、

    I.K.