主题中讨论的其他器件:CDCE6214、 CDCE925、
数据表指示当将 XO/XI 与一个晶振一起使用时、晶振需要~20pF 的负载电容。
"表9-3. 25MHz 晶体规格"表示负载电容为10~40pF。
但是、当使用 LVCMOS 振荡器为 XI 提供单端时钟(XO 保持悬空)时、
"表9-1. 25MHz 振荡器规范"规定了所需的15pF~30pF 负载电容。
这是否表明您需要在 XI (引脚23)和 GND 之间、15pF~30pF 之间添加一个外部电容器?
作为参考、DP83867指出 XI/XO 晶体需要18pF 的负载电容;
但对于 XI (LVCMOS 振荡器)输入、如果电压为1.8V、则只需直接连接即可;无需"负载电容"。
您能否确认 LVCMOS 振荡器负载电容要求?
此致、
Darren