[参考译文] P 沟道耗尽型 MOSFET 正确选择？

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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/927079/p-channel-depletion-mosfet-right-right-choice

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你(们)好我有一个应用、我认为我需要一个 P 沟道耗尽模式 MOSFET 来切换低电流和低电压。基本配置为：无栅极电压(浮动或0v)时、我需要将+2.5V -+5.1v 切换到源极的漏极。漏极将通过2K 电阻器接地、然后连接到高阻抗输入引脚。电源将连接到~+2.5V 至+5.1V 的电压。栅极电压为数字电压：1.8V 和0v -或-、它将为3.3V 和0v。 TI 是否做出任何适合此应用的事情？ P 通道耗尽模式是否适合此应用、即使栅极打开、我也需要它正常导通？谢谢你。

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2582405 points

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尊敬的 Kevin：

感谢您关注 TI FET。 TI 不制造任何 P 沟道或 N 沟道耗尽模式(常开) MOSFET。我们的所有 FET 均为增强模式(通常为关断)、必须施加栅极-源极电压(P 为负、N 为正)才能开启器件。您能否使用 N 沟道增强模式器件将源极接地、漏极连接到电压源？我们有一些 N 沟道 FET、其 RDS (ON)在 VGS = 1.8V 时指定、例如 CSD13380F3。除此之外、您还可以查看 TI 的负载开关产品。我在下面提供了一个链接。

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