This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TS3USB221E:IOZ

Guru**** 2536320 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/761197/ts3usb221e-ioz

器件型号:TS3USB221E

大家好、

我认为图13是电气特性 IOZ 的测试电路、蓝色和红色下划线对应于图13、如下所示。





如果是、绿色下划线(Vi = 0V)意味着什么?

此致、
雅丽塔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    雅丽塔-圣

    VI、VO、II 和 IO 指的是数据引脚。 因此 Vi = 0V 意味着数据引脚输入电压为0V。

    谢谢
    David
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、David - San、

    我给你的答复发了言。
    我知道 Vi 是数据输入、Vo 是数据输出、VIN=EN。

    如果是这样、我相信 由于数据表中的以下原因、内部 FET 没有随机二极管(红色部分)。
    大于(3)对于 I/O 端口、参数 IOZ 包括输入泄漏电流。

    我的理解是否正确? 它是背对背连接吗?



    此致、
    雅丽塔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    雅丽塔-圣

    是的、没有随机二极管。

    请查看数据表中的关断隔离规格、它为-40dB。

    谢谢
    David
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、David - San、

    我想提出进一步的问题。

    1)
    关于 IOZ、我理解它是从一维到 D 的泄漏电流、如下所示。
     从 D 到1D (Vi = 0V 到5.25V、Vo = 0V)的泄漏电流是否相同?






    2)
    关于 OIRR、 我认为 它是一个 D/1D 比率。
     一维/数比 是否相同?



    此致、
    雅丽塔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    雅丽塔-圣

    这两个问题是相同的。

    谢谢
    David