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当器件处于相同的工作温度和电压时、器件间传播延迟的差异是多少? 器件间和栅极至栅极偏斜上是否有数据?
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当器件处于相同的工作温度和电压时、器件间传播延迟的差异是多少? 器件间和栅极至栅极偏斜上是否有数据?
这是一个很小的样本大小。 当 典型延迟指定为7ns 且最大延迟为12ns 时、传播延迟的标准偏差只是部件间的75ps 似乎不正确。 我也不会期望通道比部分通道差。 我希望裸片(单个器件)上的所有通道都接近、裸片到裸片(器件到器件)的变化会更大。 您能否解释一下为什么通道间比部件间差、以及为什么标准偏差比规格小?
我还在为 AM26C31-EP 寻找 IBIS 模型、以在 PWB 上实现信号完整性。 您能否提供该模型?
您好 Gerald、
这是一种旧设计(20世纪80年代后期)、我们没有太多有关设计或特性数据的信息。 我会推测、每个 通道的内部金属布线和引线键合不完全相同、从而导致小幅变化。 晶圆上的过程控制相当严格。 可能存在更多的批次差异、但我们没有相关数据。
我们没有适用于 AM26C31的 IBIS 模型、该模型来源于 TI。 我们有一个 DS26C31模型、该模型是2011年美国国家半导体公司收购后 TI 获得的。 它们彼此相当接近、但时序规格不完全相同。
任何可用模型均可在 TI.com 上设计和开发选项卡的产品文件夹中找到:
我们还提供此链接、以查找所有产品的所有型号: