[参考译文] TUSB4041I：关于 VDD (1.1V)和晶振

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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/859816/tusb4041i-regarding-the-vdd-1-1v-and-crystal

器件型号：TUSB4041I

大家好

我有一些使用此器件的问题。

请帮帮我。

(1)关于 VDD (1.1V)

在数据表中、该器件的 VDD 建议的电压典型值为1.1V (从0.99至1.26V)。

现在、我想使用此器件、其典型值为1.2V (从1.13到1.31V)。

在这种情况下、您有什么问题吗？

(2)关于省电

现在、TSUB4041I 的晶体不是仅在电源时振荡、并且 RESET 信号被释放。

连接 USB 电缆后、晶体开始振荡。

使 TSUB4041I 的晶体振荡是否需要 USB 通信？

请告诉我是否有一个设置端子来仅使用电源连续振荡晶体。

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2391355 points

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您好！

1) 1)对于 VDD 轨、我不建议超过1.26V。

2) 2)您能否提供波形以进行澄清？在 GRST 被释放后、晶振应该振荡。没有设置晶体从电源开始。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2391355 points

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感谢您的回答。

很抱歉、回复太晚了、

(1)我理解

(2)您能否查看我所附的图

CH1 (蓝色)：VDD33

CH2 (浅蓝色):VDD

CH3 (紫色) ：GRSTz

CH4 (浅绿色):XTAL 输出

现在、我有一个新问题

(3)关于 VDD

您能看到相同的图吗？

在通电和释放 GRSTz 之间、VDD (CH2)降至0.8V。

此行为是否正确？

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2391355 points

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您好！

对于正确的上电复位、此行为不正确。在释放 GRST 之前、1.1V 应保持稳定。您能否放大 GRST 版本、以便我们知道吗？

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2391355 points

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(3)关于 VDD

它已解决。

抱歉、这种 VDD (1.1V)压降是由铁氧体磁珠造成的。

我使用了具有高直流电阻(超过0.05 Ω)的铁氧体磁珠。

请参阅新图更改的铁氧体磁珠。

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