[参考译文] DS80PCI800：何时需要 PCIe 中继器？

您好！

没有特定的最大长度。  大多数情况下、系统将受到变速器损耗的限制。  系统中使用的最大损耗由 PCIe 基本规范中的校准通道指南给出。  对于第3代、在20-22dB @ 4GHz 下列出了校准通道损耗。  第3代系统中的典型损耗仅低于1dB/英寸。  高性能电路板材料将减少损耗并实现更长的传输距离。

2.我们建议查看中继器、因为最坏情况下的损耗接近20dB 水平。  对于 Gen3系统、DS80PCI800和 DS80PCI810中继器通常用于衰减为20-30dB 的系统。  当然、超过35dB 的客户希望在通道中构建一个重定时元件(PCIe 开关或重定时器)。

此致、

Lee

谢谢、Lee

TI 是否有任何有关 PCIe Gen3.0布局指南的文档？  不确定是将交流电容放置在 TX IC 附近还是靠近连接器。 欢迎使用其他通用指南。

您好！

我没有特定的布局文档。  当我查看布局时、我最常提出建议。

1.将交流电容 靠近 PCB 连接器放置、远离 Tx IC 引脚。  这允许在传输线路内耗散任何反射能量时间、并且对信号抖动内容的影响很小。

2. 在 PCIe 应用中使用85欧姆差分走线。

3.对于 PCIe 应用，请使用0201尺寸的交流耦合电容，电容值为0.22uF。

4.如果使用0402尺寸的交流耦合电容器、它们将受益于 电容器封装正下方的 GND 释放。  这种情况尤其明显、因为相邻 PCB 层中使用的介电厚度小于5mil。

DS80PCI800  高速焊盘也将受益于 GND 释放、尤其是使用的电介质厚度小于5mil。

6.匹配信号对内长度。

7.根据需要反转 P/N 信号的路由以创建最佳布局。  PCIe 组件可以在内部反转接收到的信号。

此致、

Lee  

你(们)好

感谢您的回答。 可供参考的一些问题。

1.我们的情况是，如果我们在连接器附近放置交流电容器，我们必须再添加 一对运输层过孔，而不是 IC 附近的电容器所处的位置。 似乎很难选择。 就我个人而言，我认为电容器应该放在 IC 附近，而且我认为过孔比电容器的位置更有害。 你怎么看？

2.对于您的 poitns 4/5、我搜索了一些技术说明、确实发现存在"切断交流电容器下的 GND "的建议、我认为这就是您所说的"GND 释放直接 位于电容器封装下方"。 您能不能对这种方法为什么有助于提高信号质量感到兴奋？  

再次感谢！

参考说明： www.intel.com/.../tb-095.pdf

您好！

1.我同意你的意见。  我不会在连接器附近添加额外的过孔对来放置交流电容器。  我会将它们放置在 IC 附近。  我认为对于信号而言、额外的过孔会更糟、并且会占用额外的 PCB 布线空间。

2.是的，这正是我在上一篇文章中所说的。  

在大多数情况下、将 GND 释放(切断)放置在焊盘下方有助于实现阻抗控制。  交流耦合电容器的焊盘面积远远大于微带布线宽度、后者专为 PCIe 中的85欧姆差分而设计。  如果电容器焊盘下方有 GND、则电容器的局部阻抗会太低。  通过移除 GND、我们减少了从焊盘到 GND 平面的电容量。  这会增加此时的阻抗、有助于使该值更接近85欧姆差分的目标值。

  当交流电容器靠近 Tx 引脚放置时、此技术特别有用。  在 Tx 处、信号中有更多的高频能量可用。  在 Rx 侧、高频率已衰减。  这种高频能量更有可能由交流电容器焊盘的局部阻抗问题反映出来。

此致、

Lee

您好、Lee、感谢您的讲解。  

另一个问题是我们应该如何深切电容器下的 GND、为什么？ 谢谢！

我们的层叠如下所示为18层、我认为我们应该切断层2上的 GND、因此流过交流电容器的 PCIe 信号将被迫参考层4上的 GND。 你怎么看？  

TOP_SIGNAL (电容器)、

Layer2_GND、

第3_SIGNAL、

Layer4_GND、

Layer5_SIGNAL (PCIe)、

Layer6_GND、

第7层 信号、

Layer8_power、

和。。 等等

您好！

只要直接在电容器下方切割层就足够了。  如果电容器位于顶层、则切口仅在 Layer2_GND 中。

此致、

Lee