[参考译文] SN55LVDS33-SP：与 SN65LVDS33的芯片比较

admin

Other Parts Discussed in Thread: SN55LVDS33-SP, SN65LVDS33, SN65LVDS31, SN55LVDS31-SP

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/853969/sn55lvds33-sp-die-comparison-with-sn65lvds33

器件型号：SN55LVDS33-SP
主题中讨论的其他器件：SN65LVDS33、 SN65LVDS31、 SN55LVDS31-SP

与 SN65LVDS33相比、SN55LVDS33-SP 是否使用相同的基本裸片(尽管具有不同的处理、封装、测试和规格)？

SN55LVDS31-SP 和 SN65LVDS31也有相同的问题

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2928980 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Steve、

TI 无法共享任何器件的晶圆、芯片和工艺详细信息、因为这些信息是专有信息。通常、航天器件与非航天器件(包括 mil 和 EP 级产品)之间存在差异。这些差异可能表现为工艺、布局或设计变更。这样做是为了提高航天器件的辐射性能。请注意、尽管电气性能相同、但与航天级器件相比、非航天器件的辐射性能可能会显著降低。此外、非空间器件上存在多种因素、使其对空间应用具有风险。一些重要因素：

- 无单一受控基线：转化为辐射性能的高可变性(商业产品)

- 主要使用铜键合线：对于航天环境可能不可靠(商业产品)

- 未在批次级别进行辐射测试：获得辐射水平较差的器件(非太空产品)的风险很高

如果这回答了您的问题、请单击"此已解决的我的问题"
此致、
涉水

接口（参考译文帖）

接口（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] SN55LVDS33-SP：与 SN65LVDS33的芯片比较