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器件型号：TPS65988 对于我们的应用、我们需要知道 IC TPS65988中是否使用了任何电压增强电路。 我们 的产品认证所需的这些信息。
如方框图中所述、N 沟道 MOSFET 在内部用于 PP_HV1和 PP_HV2线路、以切换 VBUS 的电源。 VBUS 电源电压范围为5V 至20V。 对于我们的应用、VBUS 将始终为5V。
由于使用了 N 沟道 MOSFET、因此栅极电压将高于源极电压。
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因此、如果 VBUS 是5V、那么 MOSFET 的栅极电压是多少。 我想知道 IC 内部增强型电压的振幅。
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IC 内部是否使用基于电感器的电路来生成高电压栅极驱动、或者是通过升压电容器实现的？
3. 请发送用于为 MOSFET PP_HV1内部生成栅极驱动电压的电路块？
4. 如果 IC 内部出现故障，IC 的 Vbus1引脚上可能会出现什么最大电压？
