数据表列出了最大 ICC (35mA)、但未列出标称值。
如果器件以最大 ICC 运行、则功耗为175mW (35mA * 5V)。 在85C 时、该器件的额定功耗为172mW (730mW -[(9.3mW/C)*(85C-25C)])、但 DS8931ATM 的额定功耗高达85C。 如果9.3mW/°C 的降额正确且器件以最大 ICC 运行、则该器件如何在85C 下运行? 降额是否正确?
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数据表列出了最大 ICC (35mA)、但未列出标称值。
如果器件以最大 ICC 运行、则功耗为175mW (35mA * 5V)。 在85C 时、该器件的额定功耗为172mW (730mW -[(9.3mW/C)*(85C-25C)])、但 DS8931ATM 的额定功耗高达85C。 如果9.3mW/°C 的降额正确且器件以最大 ICC 运行、则该器件如何在85C 下运行? 降额是否正确?
谢谢你。
尊敬的 Ed:
看起来降额因子已在两种封装类型之间交换。 (您可以看出、由于降额公式应表明、当环境温度为150 C 时、器件无法耗散任何功率、因为这对应于最大结温。 只有在交换降额因子或最大功率耗散规格时、这才会起作用。 不过、我们知道 DIP 型号的总体热性能应该更好、因此功耗额定值必须正确。)
在这种情况下、您可以使用以下公式计算 TA = 85 C 时的最大功耗:
730mW -(85 C - 25 C)*(5.8mW/C)= 382mW。
我还想指出、简单地基于 ICC * VCC 计算器件功率耗散会高估功耗。 这是电源提供的总功率、但其中一部分会在收发器中耗散、一部分会在输出驱动器上的负载电阻中耗散。 (例如、如果器件在100 Ω 负载上输出2V 差分信号、则负载中的功耗将为40mW。)
此致、
最大