您好！
在数据表的9.2.1.2章节中、可以使用100k Ω LED 并联电阻器来最大程度地减小 ICC。
查看图18、可以看到、对于 Vi=Vcc-0.6V、在35C 和 Vcc=3.3V 时、附加的 ICC 大约为5.5uA
当 LED 亮起33uA 时、添加100kohm 会产生额外的电流。 当 Vi =3.3V-1.2V=大约12uA 时、补救措施看起来比我们可以预期的电流差。
将此修复解释为仅在 LED 大部分时间处于关闭状态时有效是否正确？
当 Vi =Vcc-1.2V 且在35C、Vcc=3.3V 时为大约12uA 时、我对额外电流的估计是否正确？
第二个修复方法是从更高的电压驱动 LED、示例显示了5V LED VCC 和3.3V VCC。 在这种情况下，如果两个电压都没有同时上电，TCA9539可以从5V 反向驱动到3.3V 稳定，这种情况下，该器件是否正常？
此致
Sebastian
您好、Sebastian、
很高兴我能提供帮助。
"图18显示、当 Vcc 小于 Vcc 0.6V 时为5.5uA、因此大约为6uA、因此如果压降为1.2V、则电流加倍。
这是对的吗？"
不完全是。
我对击穿电流的理解是、它不像电阻器的 I-V 曲线那样具有线性关系。 击穿电流本质上是一个 FET 在另一个 FET 处于切断状态时导通、因此您可能会在线性区域中看到一个 FET、而在切断区域中看到另一个 FET。 I-V 曲线看起来更像是一座山(上坡非常陡峭、然后减速很快、并开始快速滚降。
本应用手册讨论了击穿电流：(图2显示了 IV 曲线)
http://www.ti.com/lit/an/scba004d/scba004d.pdf
击穿电流来自 PFET 和 NFET、后者是 TCA9539输入级的一部分：
输入端口寄存器的 D 输入(蓝色箭头指向的地方)由一个 NFET 和 PFET 组成、其中门连接在一起。 如果您有到 Vcc 的输入拉电流、那么 NFET 将完全导通并且 PFET 完全关断、因此很少有电流从 PFET 的 Vcc 流入 NFET 接地。 当输入接地时、PFET 完全导通、NFET 完全关断、因此会发生相同的情况。 但是、如果您小于 Vcc 且大于 GND、则两个 FET 都可能会轻微导通、从而导致像该"hill "I-V 曲线的图像那样产生更大的电流消耗。
因此、既然我们了解了这种关系、我们就可以继续：
"稍微有点混淆，第9.2.1.2章说：
"当 LED 熄灭时，... 电气特性表中的 ΔICC 参数显示了当 VIN 低于 VCC 时 ICC 如何增加"语句正确、但引用有点错误、我认为这是从另一个数据表复制的、在该数据表中、它们在电气特性中列出了一个增量 ICC、 此数据表中没有它。
那么、当通过将 I/O 设置为输入来关闭 LED 时(然后我们会看到大约12uA 的非线性关系、它将更大) 、或者当 LED 通过将 I/O 驱动为高电 平来关闭时、即3V3、情况是怎样的？
我认为、当我将 I/O 设置为输入时、我看到额外的12uA (actally 11uA)电流？"
如果没有外部100k 上拉电阻器、您可能会看到大于12uA 的电流。 对于外部上拉电阻器、您将看到小于1uA 的电流。 这假设您使用"设置为输入以关闭"
如果您将其设置为逻辑高电平、则会使输入级从输出级上拉得更强。 PFET 的 Rdson 会导致损耗、但它可能优于没有外部上拉电阻器的情况。
如果您仍有疑问、请告诉我、
-Bobby
