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器件型号：TPD4E001-Q1 主题中讨论的其他器件： TPD2E001-Q1
尊敬的 TI 团队：
我们计划在我们的航天应用(低轨道卫星)设计中使用 TPD4E001-Q1器件。 在太空中、辐射可能会在电子元件中产生闩锁(单粒子闩锁)。 但是、如果某个组件因设计/技术而无锁存、则显然不会发生这种情况。
- TPD4E001-Q1是基于单个二极管(仅 PN 结)，还是基于 CMOS 技术产生的芯片？ 实际上、如果组件基于单二极管(PN 结不带大容量、也不能正常闭锁)、则无法实现闩锁。
－如果组件基于 CMOS 技术，则设计为无闩锁(SOI 技术，深井)，还是无？
我对 TPD2E001-Q1组件也有同样的问题。
感谢你的帮助、
此致、
Tom
