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[参考译文] UCC21520:有关 UCC21520的 UL 验证

Guru**** 2466550 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21520, UCC27714

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/592623/ucc21520-ul-verification-about-ucc21520

器件型号:UCC21520
主题中讨论的其他器件: UCC27714

您好、先生、

我计划使用隔离器栅极驱动器应用全桥谐振器。 和验证 UL 标准。

但我们测试了 MOSFET 的漏极到栅极短路、从而导致 UCC21520 IC 损坏。

UCC21520 VOUT 引脚应力不够、因此我计划使用 UCC27714D 和 ISO7340M。

因为 UCC27714D HB 应力最大值高达640V。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    曹先生、您好、

    您能更详细地描述一下损坏吗? 我看到封装似乎有物理损坏? UCC21520和 Si8233之间的区别是什么?

    通过将 UCC21520替换为 UCC27714+数字隔离器、我认为它无法解决问题。 您将看到 UCC27714损坏或数字隔离器可能损坏。 主要原因是 HB-HS 和 OUT-VSSA 最大电压、并且它无法处理高直流总线电压。 有关更多信息、请参阅数据表绝对最大值表。

    使用 UCC21520、当输出级由于串联隔离电容器而损坏时、它仍将保持安全隔离。 您能否查看应用手册 :www.ti.com/.../slyy081.pdf
    如果您还有其他问题、请告诉我。

    谢谢。
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    您好、Wei、

    感谢您的回答。 UCC21520正常、但原理图在测试 MOSFET 漏极和栅极短路时存在一些风险。
    当高侧 MOSFET G-D 引脚短路时、您是否有办法提高 UCC21520的风险? 请发表评论。

    正如我所知、第一步 PWM 先开启低侧 FET、然后将 SW 基准连接到 GND。
    第二步 VCC 充电引导选通、然后开启高侧 FET。 此时高侧 MOSFET G-D 引脚短路。 短接至高/低侧 MOSFET。

    高侧 MOSFET 对 G-D 引脚短路时的总结
    OUT 引脚可能会因二极管而损坏。
    2.高/低侧 MOSFET 短路。 损坏 MOSFET。

    曹曹
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    曹先生您好,非常感谢您提供的信息。

    1.您能不能在原理图中告知您有哪些风险?

    2.由于 G-D 较短、由于注入了大量能量、OUT-VSS 的低电压很难承受。 以下是一些建议:

    答:添加 G-S 的 TVS、这不是一种新技术、该 TVS 可以处理大电流以实现即时能量放电

    B.我们还需要保护直流轨。 发生击穿时、一旦发生过流、电源应立即关断。 电流检测应位于直流电笨重电容器和旁路陶瓷电容器之间。

    如果您有任何疑问、请随时告诉我。

    Wei