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[参考译文] DP83867ERGZ-R-EVM：DP83867ERGZT 闩锁

admin
Guru**** 2905430 points

Other Parts Discussed in Thread: DP83867E

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/752403/dp83867ergz-r-evm-dp83867ergzt-latchup

器件型号：DP83867ERGZ-R-EVM
主题中讨论的其他器件：DP83867E、Strike

 DP83867ERGZT 是否容易受到任何类型的闩锁的影响？

Munir

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    TI__Guru**** 2905430 points
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    Munir、您好！

    DP83867E 的性能如数据表和 EVM 的性能所示。

    我们测试 ESD 感应闩锁。 在 IEC61000-4-2 ESD 测试中、高达8kV 的电压不会发生闩锁。

    此致、
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    TI__Guru**** 2905430 points
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    我不确定是什么 ESD 引起闩锁。 您是指高达100或200 mA 的电气闩锁？
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    TI__Guru**** 2905430 points
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    Munir、您好！

    我是指 IEC 61000-4-2设置中所示的 ESD 冲击模型。 我们还对所有器件执行电气闩锁测试。 我需要几天时间才能了解867的详细信息。

    此致、
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    TI__Guru**** 2905430 points
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    尊敬的 Rob：

    执行 ESD 测试是为了测试输入晶体管对瞬态电压冲击的完整性。  它通常用于测试冲击的栅极氧化层和任何 PN 结。  由于 VDD 的缩短以及通过 CMOS 反相器接地而锁存。  如果器件是可锁定的、则电气闩锁测试会执行此操作。  此外、质子或重离子等辐射也可以实现这一目的。  此外、只有在逆变器可锁定时、FXR 剂量率才能锁定器件。

    我期待任何测试、电气闩锁或辐射闩锁。

    谢谢

    Munir

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    TI__Guru**** 2905430 points
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    Munir、您好！

    我知道接地和电源之间可能产生的寄生路径的闩锁现象。

    我们看到了几种可以激活此路径的机制：辐射、电气过载、ESD。

    ESD 可能会导致接地反弹或电源电压波动、这看起来类似于电气闩锁。 我报告说，没有看到这种影响。

    DP83867E 在元件级已使用 JESD78方法针对电气闩锁进行了测试、该信息位于以下资质认证页面： www.ti.com/.../home

    此致、