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[参考译文] DP83822H：偏置电阻容差

admin
Guru**** 2470840 points
Other Parts Discussed in Thread: DP83822H

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/650756/dp83822h-bias-resistor-tolerance

器件型号：DP83822H

DP83822H 的数据表显示"必须将4.87 kΩ+/-1%电阻器从 RBIAS 连接到 GND。"

在"DP83822 EVM 入门"中、您使用了一个 thik 薄膜电阻器(CRCW04024K87FKED)、其容差为1%、但在70°C 和100ppm 温度容差下、在1000小时内、deltaR/R = 1%。 因此、总体容差远高于1%。

我想知道偏置电阻器的总体容差是什么。 1%不能作为答案。

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    TI__Guru**** 2470840 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    建议在 IEEE PMA 合规性范围内达到1%。 DP83822H 是一款电流模式线路驱动器、将 RBIAS 用于其电流镜。
    如果您使用具有变化的电阻器、则驱动强度会发生变化、您可能会根据电阻的变化而获得更高或更低的电压摆幅。

    在 EVM 中、我同意电阻器不是最好的、因为它具有随温度变化的变化。 在执行 PMA IEEE 合规性时、通常在室温下完成、这就是选择该电阻器的原因。 不过、您不会看到性能差异。