您好！
我们目前在该系统中有以下安排。
VCCM = 5V，RM=1.8K，VCCB=5V，RB (主侧)=1.8K，RB (从侧)=300R，Rs=1K，VCCS=3.3V。
我们在两端都有 ESD 保护、符合 ISO10605标准。
传输侧(Tx/Rx)从主侧到从侧的运行长度约为3-4英尺。 在我们的故障模式之一中、我们观察到 Tx/Rx 线路与12V 短路、后者在线束附近非常靠近地运行；这会导致 P82B96故障。 将其更换为新部件；系统恢复正常运行。
数据表第7.3节提到了 Tx、Ty 在最大频率下工作/容忍的规格 为15V。 当 VCCB = 5V 时、这是否也是如此？ 如果是、当线路与12V 短路时、为什么会出现故障？
您好、Rushi、
"您说的是、由于 GND 和 FET 之间的低阻抗(作为开漏驱动器)、通过 FET 的过流会使 FET 发生故障吗？"
是的、FET 和12V 电源轨之间没有任何东西可防止过流事件。
"此电路是否仍有助于防止直接12V 线路短路？ 还有哪些方法？"
在我看来、最简单的解决方案似乎是直接在 Tx 前面使用串联电阻器。 TX/Ty 可以灌入100mA 的典型电流，因此如果 Rb 之后和 Tx 之前有一个12V 的短接，则：Rseries = Vshort/IOL (max)
因此、R 系列应至少为120欧姆。 现在、这确实会带来一个潜在的问题。查找输入的器件的 Rx 将看到与发送信号的器件的 Tx 不同的输出电压。
从上面可以看到、一侧产生的电压为131mV、而另一侧产生的电压为1.68V。 在此示例中、我们满足了 Vil 为2.1V (0.42*Vcc)的要求、但如果您在 RB 上使用了值较低的上拉电阻器、或者如果 RDSon/Rseries 较大、则电压可能会超过2.1V。
该电压实质上是分压器：Rx 时的电压=(Rseries+Rdson)/(Rseries+Rdson + Rpullupequilent)*5V
此示例显示、当12V 电压轨与 Tx 电压轨直接接触(在串联电阻之后)时、我们已将流入 FET 的电流限制为92mA。
谢谢、
-Bobby
您好、Rushi、
我知道的唯一"泄漏路径"应该是从 GND 到 I/O 以及从 I/O 到 Vcc 的内部二极管。
Sx 和 Tx 应具有高阻抗、两者之间不应有任何路径。 不过、我可能会看到 Tx 和 Vcc 之间的二极管导通问题。 如果主器件/从器件看到相同的 P82B96 Vcc、并且电源无法灌入电流、则 Vcc 可以取消注册为更高的电压。
谢谢、
-Bobby
