[参考译文] LMH1218：器件寄存器设置与 IBIS-AMI 模型参数设置：CTLEAdapt

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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/704784/lmh1218-device-register-settings-vs-ibis-ami-model-parameter-settings-ctleadapt

器件型号：LMH1218

我尝试从器件寄存器设置转到仿真(具有等效设置)

我注意到 IBIS-AMI 模型仅支持 IN1、因此我初始化仿真参数以使用此输入。

我已经了解了设备上的实际寄存器设置和模拟设置，它们是不一致的。

对于仿真、根据 TI_LMH1218_IBIS_AMI_User_Guide.pdf、CTLESetting.CTLEAdaptt =B01显然是一个测试模式、但给了我一个良好的仿真眼图、

寄存器设置我的器件设置 CTLEAdapt=0、

现在、在仿真中、我设置 CTLEAdapt=B00、现在单步执行 EQ_Levels 并比较结果：EQ_LEVEL = 2时、眼图在 PCB 仿真中看起来最佳。

我希望我按预期使用此功能、现在的设置是等效的。

因此、如果我正确读取仿真、我们应该在最初的 EQ_LEVEL = 2而不是0时更改器件寄存器设置。

此外、我们如何从器件寄存器中确认设置是稳定的/良好的并且具有最低的 BER？

-JS

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2553450 points

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您好、Jay、

Q1)："我希望我按预期使用此功能、现在设置是等效的。

因此、如果我正确读取仿真、我们应该在最初的 EQ_LEVEL = 2而不是0时更改器件寄存器设置。"

在这种情况下、您应该使用 EQ_LEVEL = 2、这是正确的。

寄存器0x03提供 CTLEAdaptt = 0模式下 CTLE 设置的增益。该寄存器的默认设置为0x80、可补偿20-25英寸的 FR4布线长度。但是、这对于大多数应用来说太大了。在正常的实验室环境或实验室使用中、大多数人使用短 SMA 电缆、因此我们建议使用0x03 = 0x00 -这仅提供残余增益(约2-3dB)。

Q2)。 "此外、我们如何从器件寄存器中确认设置是稳定的/良好的并且具有最低的 BER？"

获取最佳设置的最佳方法是读取 HEO 和 VEO 寄存器。应将提供最大 HEO 和 VEO 的寄存器0x03设置用于实际器件的寄存器0x03设置。

此致、Nasser

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2553450 points

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您好、Nasser、
我发现第6页在寄存器0x03的寄存器设置和参数设置之间进行了转换
设置4.1 Rx 模型参数：寄存器 EQ_LEVEL = 0x80 <=>模型 EQ_LEVEL = 2
因此，基于先前的默认设置0x80....，这是令人困惑的不确定我在这里缺少什么。
… BTW 在 FPGA 和 LMH1218之间只有几英寸的 FR4。
-Jay S.

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2553450 points

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您好、Jay、

寄存器0x03为8位、IBIS-AMI 模型将这8位映射到16种不同的 EQ 电平设置。

我不确定您2英寸 FR4的插入损耗是什么类型、但我记得您的一位同事对寄存器0x03使用了0x00设置、他的 HEO 和 VEO 也超过0.7UI。您可以使用0x00设置、然后根据 HEO/VEO 读数进行优化(如果需要)。

此致、Nasser

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