[参考译文] TPS2511-Q1：电气过载插入端口。

admin

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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/721119/tps2511-q1-electrical-overstress-insert-port

器件型号：TPS2511-Q1

你(们)好

附上方框图。
当 EOS (电气过载)被施加到 DP 或 DM 端口上时会发生什么情况？
超过2kV。

请使用方框图进行说明。

谢谢、

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1457880 points

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尊敬的 TM：

如果将>2kV EOS 施加到 DP/DM，则部件将损坏。因为该器件的最大 ESD 额定值为2kV。如果 ESD 风险大于2kV，则可以添加外部 ESD 保护部件。

您可以随时提出任何问题。

此致、

Bob

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1457880 points

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你(们)好 Bob

请您解释一下上述模块中的情况吗？

S1、S2和 S3开关打开。
只有在某些情况下才会发生损坏。

谢谢、

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1457880 points

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TM、

S1、S2和 S3为低压 FET、如果施加 EOS、这些 FET 将损坏、从 DP/DM 到接地的泄漏电流将增大、这意味着从 DP/DM 到 GND 的电阻将减小。

此致、
Bob

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1457880 points

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尊敬的 TM：

由于没有更多的回复、我将关闭此主题。如有任何问题、请随时提出进一步的问题。

此致、
Bob

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