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器件型号：TCA6424A 您好！
我查看过数据表、它没有指定器件端口引脚随输出变化的上升和下降时间是多少？
您能否指定它是什么以及它测试的负载？
谢谢、
Loie
您好！
我查看过数据表、它没有指定器件端口引脚随输出变化的上升和下降时间是多少？
您能否指定它是什么以及它测试的负载？
谢谢、
Loie
您好、Johnny、
端口输出上升/下降时间由总线上的电容决定。
让我们看看图19、更好地了解如何估算上升和下降时间。 我们可以看到两个控制器件输出部分(Q1和 Q2)的 FET。 如果 Q1 FET 将其打开、它会将信号拉高。 如果 Q2导通、它会将信号拉低。 现在、我们将在 Pxx 端口引脚上有一定量的电容、因此我们将看到一个 RC。 C 是寄生电容、而 R 是 FET 的 Ron。
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以下摘自6.4电气特性。 我们可以使用 VOH/Vol 和 IOH/IOL 来估算 FET 导通时的 Ron。
示例1：假设 VCCP 为3V、我们看到器件的拉电流为8mA。 那么 Ron=(VCCP-VOH)/I 或(3-2.6)/8m = 50欧姆
示例2：假设 VCCP 为3V、我们看到器件的灌电流为8mA。 然后 Ron=(Vol-GND)/I 或(0.25)/8m = 31.25欧姆
我们现在知道上拉和下拉的 Ron。
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假设寄生电容为10pF (由于我们的器件最大为8.5、例如电路板最大为1.5pF)。
我将做出2个假设：
1) 1)首先、器件的端口引脚连接到高阻抗引脚/器件
2)如果我们计算上升时间、则信号之前为低电平(GND)、如果我们计算下降时间、则信号之前为高电平(VCCP)。
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上升计算：
充电电容的公式为 Vcap=Vsupply (1-e^(-t/RC))
假设上升时间是 Vcc 的0V 至90%之间定义的。
这意味着我们需要看到 VCAP= Vsupply x0.90
现在、我们可以解决时间问题。
0.90Vcc=Vcc (1-e^(-t/RC))
0.90=1-e^(-t/RC)
e^(-t/RC)=0.10
-t/rc=ln (0.1)
T=-RCln (0.1)
在 R 中填充之前的50欧姆电阻、在 C 中填充10pF 电阻
时间= 1.15纳秒
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下降计算：
放电电容的公式为 Vcap=Vsupply x e^(-t/RC)
假设上升时间是从 Vcc 的%100到10%之间定义的。
这意味着我们需要看到 Vcap = Vsupply x 0.10
现在、我们可以解决时间问题。
0.10Vcc=Vcc x e^(-t/RC)
0.10= e^(-t/RC)
LN (0.1)=-t/rc
T=-RCln (0.1)
在 R 中填充之前的31.25欧姆、在 C 中填充10pF
时间= 0.720纳秒
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我希望这能解答您的问题、
-Bobby
