• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 3 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 132 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC21222-Q1：可用于背对背高侧 N 沟道 FET 驱动？

admin
Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21222-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/672989/ucc21222-q1-can-be-used-for-back-to-back-high-side-n-ch-fets-driving

器件型号：UCC21222-Q1

你(们)好

我想使用 UCC21222-Q1驱动 BMS 应用的背对背高侧 N 沟道 FET

;共漏极或共源极如下所示。

我的问题是 UCC21222-Q1可以在下面使用一个浮动电源吗？

让我期待 BU 的快速确认。

  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Paul：

    感谢您的联系。 此配置适用于 UCC21222-Q1、在 VDDA 和 VDDB 之间共享电源时不会出现问题。 但是、我的问题是、通过在共漏极配置中连接两个 MOSFET 的源极、可以有效地将开关的两侧短接在一起(BATTER+现在直接连接到 I/O 2)。 如果它被连接为共源极(CFET 和 DFET 的方向翻转)并且 VSSA/VSSB 被连接至 FET 之间的源极节点是可以的。

    此致、
    将要执行的操作
  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好、William

    不错的地方

    因此、对于共漏极、我们分别需要为 VDDA/VSSA 和 VDDB/VSSB 提供两个独立的浮动电源。

    对于通用源、我们只需要一个连接到 VDDA/VSSA 和 VDDB/VSSB 的浮动电源。

    我绝对会为您试用 UCC21222-Q1。 谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Paul：

    是、由于负载之间短路、上述共漏极需要两个独立的浮动电源。 公共源不存在该问题。 无论哪种情况、器件级上都不会出现共享电源的问题

    如果您需要其他支持、请告知我们、如果解决了问题、请按绿色的"这解决了我的问题"按钮。

    此致、
    将要执行的操作