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[参考译文] SN65HVD75:正在搜索等效的替代器

Guru**** 2482155 points
Other Parts Discussed in Thread: SN65HVD75

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/672643/sn65hvd75-searching-for-an-equivalent-alternate

器件型号:SN65HVD75

查找 ST1480ABDR 的等效替代产品。 参考芯片属于正确的产品系列、但我看到参考 TI 芯片有多处不同之处、我似乎找不到接近的等效器件、因此我想知道 TI 是否有任何其他更符合我根本找不到的 STMicro 规范的芯片?  

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    您好、Scott、

    SN65HVD75未提供的 ST1480需要满足哪些条件? 它们看起来具有相同的引脚排列/功能、HVD75支持更高的数据速率、更多的节点、并且具有更高的 ESD 容差。

    最大
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    迟滞电压差异(ST1480上为30µV μ V、TI 芯片上为80mV)。 我必须进一步研究我们的设计、以确定这是否会对设计产生影响、但如果有等效组件、我会先进行研究。 起初、有人对 SN65HVD75 PN 中8-SOIC 的可用性提出疑问、但只是因为我在数据表第1页的表中读得太多-看起来外形尺寸不错。
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    您好、Scott、

    与 ST1480相比、HVD75在接收器的最小和最大输入阈值电平规格方面非常相似(实际上比 ST1480小几 mV)、因此额外的迟滞不会随阈值的任何扩展而出现 (在信号振幅/损耗方面、在运行接近限值的应用中、这是一个问题)。 因此、额外的迟滞只会带来好处、有助于提高抗噪性能。 (当输入信号接近开关阈值时、磁滞可防止接收输出由于少量噪声而切换。)

    此致、
    最大