[参考译文] UCC21520：自举和栅极导通关断电阻器

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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/672091/ucc21520-bootstrapping-and-gate-turn-on-off-resistors

器件型号：UCC21520

我想使用

UCC21520DW

典型半桥应用。我的 MOSFET 的最大栅极电荷为45nC。最大占空比为95%、最小值为5%。 VCCI 为12V、INA 和 INB 为3.3V、对于 MOSFET 侧 I AM 使用12V 2W 隔离式直流/直流转换器。在计算并考虑电压纹波后、自举电容值会出现800nF。我已决定为此应用选择1uF 电容器。

问题： 1-高侧 MOSFET 的自举是否存在任何类型的占空比限制问题？

2-我选择了18欧姆的导通电阻和9欧姆的关断电阻。没关系吗？

MOSFET 阻断电压为600V。
如果需要、我可以提供更多信息。

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2482105 points

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您好、Muhammad、

感谢您关注 UCC21520DW。我是 TI 高功率驱动器组的应用工程师、可以帮助查看这一信息。

您能告诉我您的系统所需的开关频率吗？这将帮助我更好地回答以下问题。

1. 在高侧 MOSFET 的自举方面是否会出现任何类型的占空比限制问题？

当开关节点接地时、自举电容器在低侧的"导通"期间充电。这意味着最坏情况下的最小低侧脉冲宽度应足以进行自举充电。这是一个最小低侧脉冲宽度是占空比和开关周期的乘积。

2. 我选择了18欧姆的导通电阻和9欧姆的关断电阻。没关系吗？

输出电阻器的大小可通过限制输出上的 dV/dt 来抑制输出过冲和下冲、但是、较大的输出电阻会减慢功率 FET 的开/关转换时间。在设计系统效率时、应考虑这些开/关时间、并且与系统的开关周期相比、该时间应更短。 18 Ω 导通电阻和9 Ω 关断电阻应允许快速开关、但如果设计允许、驱动器能够提供和灌入更多电流-这将最大程度地降低开/关转换期间的损耗。

此致、

John

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2482105 points

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John 先生、您好！

开关频率为30kHz。
低侧 MOSFET 最小占空比为5%。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2482105 points

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您好、Muhammad、

感谢您提供相关信息。

我的估算表明、考虑到最坏情况下的初始低侧脉冲、CBT 应充电至大约8.8V。这应该足以在下一个低侧周期之前切换高侧 FET。如果您发现 CBT 需要更短的充电时间、请考虑降低 RBT 值以减小系统的时间常数。

在这种情况下、Ron 和 ROFF 电阻器也应足够大。我的估计值显示高侧输出 t 上升约为100ns、高侧输出 t 下降约为25ns。系统启动并运行后、可以减小和调整这些值、以实现更快的切换和更高效的整体系统。

如果您的问题得到了解答、您可以按绿色按钮吗？

此致、

John

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[参考译文] UCC21520：自举和栅极导通关断电阻器

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