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[参考译文] SN65LVDS391:建议堆叠

Guru**** 2482105 points
Other Parts Discussed in Thread: SN65LVDS391

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/671626/sn65lvds391-recommended-stack-up

器件型号:SN65LVDS391

您好!

我正在尝试使用 SN65LVDS391 IC 设计 TTL 到 LVDS 接口。 我要使 PCB 成为一个4层板、其中顶层用于 LVDS、底层用于 TTL、层2用于接地、层3用于电源。 数据表中规定、接地平面和电源平面之间的间隔应保持为5mil。 但标准磁芯尺寸约为47mil。 如果我将其更改为 TI 建议的间隔、则必须增大顶层和层2、底层和层3之间的介电间距大小。 我在设计中使用 SMA 连接器、因此我不确定是否进一步减小电路板厚度、是否有足够的机械支持。

TI 是否为这些 IC 推荐了参考/布局堆栈?

如果有人能指导,那就太棒了!

谢谢、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好!

    数据表中建议电源平面和接地平面之间间隔为5mil、以提供更多分布式旁路电容。 在考虑您的其他要求时、我会使其尽可能紧凑、并确保您具有足够的旁路电容。 请遵循数据表中关于旁路电容的指南(第11.2.1.2节)。

    此致、
    相位