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器件型号：ONET1151L 我正在尝试在新设计中使用 ONET1151L。 我过去使用过此芯片、并将评估板原理图用作项目设计的基础。 使用该原理图、我没有遇到性能问题。
对于新设计、我需要将此激光驱动器封装到非常紧凑的空间中。 在评估板原理图中、激光驱动器的输出端有许多组件、称为"偏置三通"。 它们由一个与47uH 电感器并联的475 Ω 电阻器组成、并与一个 BLM15HG102SN1铁氧体磁珠串联。 考虑到我的空间限制、我想知道我是否可以移除这些组件中的任何一个、并让 ONET1151L 在10G 时仍然工作和执行？ 由于它们是"偏置三通"、我假设需要有475欧姆的电阻器。 我的问题是、可以移除47uH 电感器或铁氧体磁珠、还是至少缩小到更小的器件？ 另一个问题是、如果我将它们移除、会对激光驱动器的输出性能产生什么影响？ 我们非常感谢您在这里提供的任何帮助。
谢谢、
Mike Nycz
