[参考译文] ISO5851：ISO5851 DESAT 故障

您好、Morgan、

感谢您的联系。  

1.您能否分享您所测试电路的原理图？ 您的描述很清楚、但原理图将为我们提供更全面的信息。  

2.您使用哪种探头来测量 VDS、VGS、VDESAT 和 ID 的信号？

3.您是否还具有 PWM 输入信号的示波器捕获？

测试完成后 ISO5851的状况是什么？

此致、

熊

熊您好、

下面是电路原理图；请注意一些更改：D48是6.8V 齐纳二极管，未安装 D54 (而是0r)。

MOSFET 原理图为这种情况、未安装 Q3

为了测量所有信号、我们使用高压差分探头(Tektronix 的 THDP0200)和电流探头 TCP0030。

我们不使用 PWM、而是 使用来自 µC Ω 的分立式输入(0V/3.3V)。

命运驱动器的条件取决于 MOSFET 的破坏：如果 MOFSET 爆炸、集电极和发射极之间保持开路、ISO5851正常、但如果它是 SC、ISO5851也会被销毁(VDD/GND 初级侧的 SC)。

感谢您的关注、

摩根

您好、Morgan、

感谢您提供更多信息。

另一个问题是、对于波形中显示的情况、驱动器 IC 和 SIC FET 是否损坏？

在 DESAT 保护之后、SIC FET 被关闭、然后打开。 误导通可能是由于 dv/dt 较高的米勒效应、也可能是由于 IN+信号中断。

另一方面、即使在 VGS 较低时、ID 电流也会继续上升。 这可能是由于 SIC FET 因硬短路而损坏。 请确认吗？

最好移除/RST 和 IN+之间的电阻器、以便更好地找出根本原因。 相反、我们可以在/RST 引脚上添加一个上拉电阻器。

此致、
熊

熊您好、

在这种情况下，驱动器 IC 很好，但 SiC MOS 广泛打开，几乎是：)：

米勒效应不应被栅极 IC 的米勒钳位溢出？

IN+信号已通过3.3V 外部电源上的电缆激活、它可能会在插座上出现反弹？

以下是一些具有更长相同捕获时间的视图：

我应该运行什么类型的测试来为您找到根源？

非常感谢、

摩根

您好、Morgan、

感谢您分享其他信息。 您分享的新数据似乎捕获了不同的瞬间、因为我看不到 VDS 和 ID 中的冲洗。

米勒钳位功能在某种程度上会有所帮助。 然而、米勒钳位 FET 的阻抗为4 Ω。 当 dv/dt 感应电流过高时、栅极电压无法钳位到足够低的水平、从而低于 SIC 的阈值。 此外、SIC FET 的栅极与驱动器 IC 的钳位引脚之间的连接需要尽可能短。 否则、米勒钳位功能的有效性会进一步降低。

我们可以尝试帮助找出根本原因的几件事：

1.尝试将电阻器替换为具有中等值的电感器，以限制 di/dt 速率。

2.尝试使用双极电源在 FET 关断时提供更好的栅极钳位。

3.尝试测量 IN+走线上的电压以检查电势电压尖峰和振铃。 在测量过程中、尽量减小探针尖端的回路、以最大程度地降低噪声拾取。   

此致、

熊

熊您好、

我已经进行了几次测试来找出问题所在；

我已经逐渐升高 VCE 张力以观察行为：我们可以看到系统正常工作、DESAT 函数按预期运行。

以下是30V CC 上的布线：

以下是300V CC 上的布线：

µs 我们可以看到、DESAT 电压需要2 μ s 才能激活 DESAT 函数、我们观察到 DESAT 电压在300V CC 上的上升方式不同、为什么会出现这种差异？

2µs 调整 DESAT 电压的这一 μ s 上升时间吗？ 我认为本例中的主要问题是 di/dt 过高、导致过多能量以650V 电压打开 MOSFET。

我进行了测试、直至达到500V、在这种情况下、我们发现 MOSFET 会多次尝试关闭、直到成功。

提前感谢您、

摩根

您好！

我忘记了300V CC 曲线：

此致、

摩根

您好、Morgan、

感谢分享结果。 让我们通过电话进行讨论、以便进行更高效的讨论。 我已向您发送了一封私人邮件。 请与我分享您的联系信息。 谢谢。

此致、
熊