[参考译文] ISO5851：需要 SiC MOS 栅极驱动器帮助

尊敬的 John：

ISO5851具有大多数功能、例如高达1.5kVrms 工作电压和5.7Vrms VISO 的高电压隔离、最小100V/ns 的高 CMTI、有源米勒钳位电路和 DESAT 保护。 DESAT 引脚可连接到电流感应电路的输出、以实现过流或短路保护。 DESAT 阈值大约为9V、需要正确设置电流感应输出。 在 DESAT 检测情况下、ISO5851会下拉驱动器输出并将故障报告至/FLT 引脚。 故障检测后、可在几微秒内报告故障。 电源电压由 UVLO 功能监控。 电源 UVLO 故障报告给 RDY 引脚。 ISO5851没有软关断功能。 因此、我建议使用 ISO5852S、它具有软关断功能和 ISO5851的所有功能。 也就是说、ISO5852S 似乎能够满足您的应用的大部分需求。 ISO5852S 是一款单通道栅极驱动器。 因此、您将需要两个 ISO5852S 来驱动半桥电路。 我对过温保护功能不太确定。 请详细说明一下吗？

此致、

熊

熊

感谢你的答复。  在温度保护方面、我看到一些智能芯片的制造商在芯片内部温度过高时将芯片关闭、从而对芯片进行自我保护。  因此、您认为 ISO5852S 能够最好地满足我的需求。  有没有任何参考设计可以帮助我进行该芯片的设计和布局？

John

熊

我需要5852S 芯片和 SiC MOS 之间的电流升压级。 我需要大约+/-30 APK。 我在 TIDA-00917中看到、它们使用了电流升压级、但信息很少。  我想将2个或3个此类升压级并联、因此我想了解如何实现这一目的。  我查看的是 Diodes #ZXGD3006E6、我会将其中的3个并联。  我假设当我将这些级并联时、我需要单独的输入电阻和输出电阻来帮助实现电流共享。 输出电阻将是我的栅极驱动电阻器、但如果我必须并联每个级的总电阻量、这将占用大量空间、并联值的电阻器等于我需要总栅极电阻。 也许我可以将一个部分并联。 例如、如果我需要3个级、并且我需要10欧姆作为总 Rgate、那么我是否可以在每个级中仅并联其中的一部分；例如、将7.5欧姆的大容量电阻保留在每个级输出中、然后再将7.5欧姆电阻放置在每个级输出中？ 它们的并联电阻为2.5、然后添加到7.5大容量中、我得到10。 我假设我会在每个级的输入上执行类似的操作、但我不知道如何计算它。 可以帮帮我吗？

此外、我需要+19/-5V 栅极驱动器、我看到您的应用手册中有一个显示了板载功率浮动电源、但它看起来功率很低。  我需要一个类似的电源、但更像是20 - 30瓦。  是否有任何文件可以在这方面帮助我？

谢谢您- John