[参考译文] SN65HVD32：SN65HVD32瞬态保护

您好 Hao、

感谢您的快速响应！！！

我们通过使用足以支持100uC 脉冲的外部 TVS 二极管来提供前级瞬态保护。 但是、在100uC 瞬态事件期间、TVS 二极管钳位到最大电压 14.5V。 因此、为了处理该钳位电压、我们放置了10欧姆的脉冲耐受厚膜电阻器(如器件数据表中建议的那样、请参阅第页编号 29 /表9)来限制流经收发器引脚的电流。

我还可以看到收发器等效输入输出原理图(图33 /页码 25)。 对于 Y 和 Z 输出、器件内部提供了钳位电路。 请查看并告知我们您对 IC SN65HVD32处理次级瞬变电平的限制的看法。

类似地、如果您查看收发器输入 A 和 B 引脚的衰减器电路、我认为只要按照所列的 R3值来处理残留瞬态就足够了(见表7/页码 25)非常高的180千欧。 如果我的假设有误、请更正我的错误。

希望上述问题措辞能让您更好地理解。 如有需要、请随时向我提供更多解释。

此致、
Rajesh

Rajesh、
感谢您的详细解释。 钳位二极管可以处理一些过载瞬态电流。 遗憾的是、100us 浪涌事件比 HBM/CDM 事件严重得多、这超出了电池的钳位能力。 R3等高阻抗可以限制流入该引脚的电流。 但我们仍然需要一条用于分流浪涌电流的路径。 我同意您的大部分分析。 但遗憾的是、由于其物理限制、该 IC 在浪涌保护方面的能力非常有限。 如果您有更多问题、请告诉我。
此致、
Hao

您好 Hao、

我可以看到 SN65HVD32在处理浪涌瞬变方面的局限性。

请详细说明数据表中提供的以下应用电路：

上述保护电路是否仅适用于 SN65HVD33、其瞬态处理能力如何？  

这个外部 TVS、R1和 R2组件是否不足以保护 SN65HVD32免受浪涌瞬态的影响？

请澄清。

谢谢、此致、

Rajesh Kumar

您好 Hao、

请在下面查找适用于我们应用的 RS422收发器保护电路：

信号传输速度要求：500kbps

浪涌波形持续时间：100 μ s

流入 IC 的残余瞬态电流：1.25A

注意： 下面的电路已经实现并且正在评估中、因此我们无法将器件更改为不同的封装。 如果与 SN65HVD32相比、同一封装中的 IC 具有更好的瞬态处理能力、我们将能够更换它。

此致、

Rajesh  

Rajesh、
您可以考虑使用 SN65HVD1471、它具有更好的 ESD 保护、但可能不足以应对浪涌电流。 您的产品发布计划是什么？ 我们正在开发一些具有浪涌保护功能的 RS485收发器。 您可以在我们有样片时对其进行评估。
此致、
Hao

您好 Hao、

SN65HVD1471无法使用、因为我们需要最小500kbps 的信令。

目前我们处于测试阶段、将在8月完成测试、然后相应地开始生产。

您是否有机会查看我在前一封邮件中分享的电路。 为了便于您参考、我将再次附上电路图：

我还想知道、SN65HVD32能够以良好的裕度安全承受的最大浪涌电流和持续时间是多少。

谢谢、此致、

Rajesh

Rajesh、
在这种情况下、您可以考虑支持20Mbps 数据速率的 SN65HVD1474。 遗憾的是、我们没有 SN65HVD32或 SN65HVD1474浪涌电流的任何特性数据。 我们拥有的唯一数据来自 SN65LBC184。 原理图看起来不错、只是我认为我们需要在内部或外部找到残留浪涌电压的电流路径。 如果您有更多问题、请告诉我。
此致、
Hao