Hiii、
我正在使用德州仪器 ISO5500设计 IGBT 栅极驱动器。 在我的应用中，我需要更高的拉电流和灌电流，这就是我使用外部电流缓冲器的原因，它也被连接了。 该电路
ISO5500 数据表第34页中的建议值。 在分析 缓冲电路时 ，当 PNP 晶体管处于运行状态时，NPN 晶体管上的电压 VEB 将超过25V。 但是 、晶体管的 VEB 的数据表值仅为5V、这意味着它将失败。 PNP 晶体管在运行时也存在同样的问题。 请解决我的问题。 如果需要、请告诉我。
您好、Naga、
感谢您的联系。 下面的电路可以帮助解决该问题。 您还可以在 BJT 集电极和电源轨之间移动栅极电阻器。
我们推荐在新设计中采用与 ISO5500功能类似的 ISO5452。
请告知我们任何问题。
此致、
熊
Hiii Xiong、
首先，我想知道我在前面的帖子中提到的对电路的分析是否正确。 如果 TI 在其数据表(ISO 5500、第34页)中正确地推荐了电路、 我的应用需要具有 不同 Rgon 和 Rgoff 电阻 器的外部电流缓冲器、这对于您建议的电路是不可能的、我不想使用与 Rgoff 电阻器串联的二极管来针对不同 Rgon 和 Rgoff 电阻器使用推荐的电路。 我的应用是 IGBT 栅极驱动、驱动器 IC 应使用双极电源(+15V 和-10V)。与 ISO5500相比、ISO5452具有哪些额外特性。
注：请说明 以下电路的电路分析，特别是 PNP 晶体管工作时 NPN 晶体管的发射极到基极的电压和 NPN 晶体管工作时 PNP 晶体管的发射极到基极的电压。 如果可能、使用波形。
您好、Naga、
这是我打算使用的电路。 该电路可支持单独的导通和关断电阻器。
ISO5452是我们最新推出的隔离式栅极驱动器产品、具有增强的隔离性能和更高的 CMTI。
对于图72、由于 BJT 转换时间、反向 VBE 电压可能会高达(VE2-VCC2)。 但是、该电压只能持续有限的时间。
此致、
熊
