[参考译文] DS80PCI102：DS80PCI102SQE、DS80PCI402SQ、DS80PCI402SQ

您好、Swetha、

这两个问题都可能是正确的、但让我们更深入地探讨一下。

交流耦合电容器焊盘可提供寄生电容、从而导致阻抗压降。 此阻抗下降的程度与电路板 PCB 层叠相关。 理想情况下-为了最大限度地减少反射-您希望此阻抗压降非常接近另一个阻抗压降-波长小于四分之一-因此这会被适配器或器件 ESD 结构引起的较大阻抗压降淹没。 一种想法是、交流耦合电容应放置在阻抗下降较高的位置(适配器或器件)。 另一个想法是、我们应将其靠近接收器、接收器由于器件输入电容而具有阻抗压降、因此具有阻抗压降。 此外、将电容器靠近接收器会减少对发送器的反射。 总之、通过在适配器上放置反焊盘以最大限度地减少寄生、我将投票选择将交流耦合电容器放置在更靠近接收器的位置、因为它具有更多的优势(如前所述)。

此致、、、Nasser

对于大多数 PCIe 应用、去耦电容器与 PCIe Tx 信号放置在同一 PCB 装配体上。 为了最大限度地减少耦合电容器放置引起的反射、我们建议在 Tx 和电容器封装之间留出空间、以便在反射能量与 PCIe Tx 交互之前留出任何耗散时间。