[参考译文] ISO5852S：软关断(STO)

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：ISO5852S

大家好、团队、

您能否就 ISO5852S 中的软关断(STO)向我提供建议？

STO 保护 IGBT 或 FET 不会因过流而受损。正确吗？

2.如果#1为是、如何检测 FET (或 IGBT)中的过流情况？
一旦发生过流情况、FET (或 IGBT)中的 V (漏极-源极)应增加。则应要求 V (DRAIN)处出现过压情况。我想 UVLO2用于保护 ISO5852s 器件免受 OUTH 和 OUTL 过流情况的影响。

此致、
Nagata。

0 admin 8 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Nagata、

感谢您对我们的关注、我叫 Mamadou Diallo、我将帮助解决您的问题。

1.是的、STO 是一项标准安全功能、可防止对 IGBT 造成永久损坏。

通过驱动器的 DESAT 引脚持续监控 IGBT 的 VCE 电压来完成此检测。当驱动器识别到 DESAT 时(每当 Vdesat > Vds、THRESH 时)、通过禁用 OUTH/L 来启动 STO

下图最能捕获此过程。

我不确定我是否理解这种说法："一旦发生过流情况、FET (或 IGBT)中的 V (漏极-源极)应增加。则应要求 V (DRAIN)上出现过压情况"、但 VDS 会因通过 IGBT 的过流而增加、当电源电压不足时 UVLO 会关断 IGBT。

下面复制的链接中的第2.1.5至2.1.7节进一步详细介绍了这一过程。

如果您的问题得到了解答、请按绿色按钮或联系我们以获得进一步的澄清。

谢谢。

此致、

-Mamadou

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