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[参考译文] DP83867ERGZ-S-EVM:采用电容耦合的1000BASE-T 兼容性测试

Guru**** 2392595 points
Other Parts Discussed in Thread: DP83867ERGZ-S-EVM, DP83869HM, DP83869EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1188385/dp83867ergz-s-evm-1000base-t-compiliance-test-with-capacitive-coupling

器件型号:DP83867ERGZ-S-EVM
主题中讨论的其他器件: DP83869HMDP83869EVM

尊敬的支持团队:

我正在尝试 使用电容耦合进行1000Base-T 兼容性测试 、而不是使用磁性元件。

我了解 DP83867ERGZ-S-EVM 支持 符合 SNLU209 2.8电容耦合的电容耦合。

但是、有关1000Base-T 测试模式1信号测试的一些测试失败。

TI 是否曾使用 带电容耦合的 DP83867ERGZ-S-EVM 进行过测试 

此致、

Toshi

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    您好 Toshi、

    我必须向我们的团队核实这一点。

    您能告诉我哪些测试失败吗?

    --
    此致、
    Gokul。

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    你好、Gokul、

    峰值输出电压测试和 MDI 共模输出电压测试失败。
    对于模板测试、结果不稳定。
    尽管下面显示了第 H 点看起来通过、但有时它会失败、另一个模板测试也会失败。

    此致、
    Toshi

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    您好 Toshi、

    似乎您没有使用 AppNote https://www.ti.com/lit/an/snla239b/snla239b.pdf 后面的 B Ethernet Compliance Testing MDIO Register Writes"部分中所述的正确 TESTMODE-1设置

    --
    此致、
    Gokul。

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    你好、Gokul、


    感谢您的回复。 我注意到我没有设置寄存器0x01D5 0xF508、设置后点 A/B 峰值输出电压测试已经通过!
    但模板测试和 MDI 共模输出电压测试仍然失败。
    虽然我尝试使用磁性元件代替电容器进行测试、但没有改变。
    该电路板具有不可改变的残桩模块、因为可以安装磁体和电容器、我猜它会对测试结果产生负面影响。
    你怎么看? TI 以前是否曾使用此电路板执行过合规性测试?

    此致、

    Toshi

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    Toshi-San、

    Gokul 将在下周晚些时候与团队核实后再次与您联系。  

    --

    此致、

    Vikram

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    您好、Toshi-San、

    DP83867不支持电容耦合。 PMA 合规性测试不是使用电容耦合执行的、但 BER 测试显示了一些数据包错误。

    因此、我认为我们应该仅使用 DP83867的磁性元件来调试 PMA 合规性。

    如果您需要电容耦合解决方案、我建议使用 DP83869HM。 在 DP83869HM 上进行了 BER 测试、我们未发现数据包错误。 但是、PMA 符合性未经过全面测试。 如果您希望使用 DP83869HM、如果您观察到任何合规性测试故障、我将为您提供调试支持。

    --
    此致、
    Gokul。

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    大家好、Gokul-San、

    非常感谢。
    然后、我将关闭此主题并尝试评估 DP83869EVM。