[参考译文] TUSB8041：不使用外部复位 IC 时的 VDD 和 VDD33序列

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1213749/tusb8041-vdd-and-vdd33-sequence-when-not-using-external-reset-ic

器件型号：TUSB8041

您好、专家！

我的客户不想使用外部复位 IC。请确认以下任意一项正确。

首先应用 VDD (1.1V)、然后在经过10us 后可以应用 VDD33。 GRSTz 可以保持开路。
首先应用 VDD (1.1V)、然后在经过10us 后可以应用 VDD33。将一个电容器连接到 GRSTz 引脚、以在 VDD33变为稳定状态后满足3ms 要求。

我认为排名第一已经足够了、但请确认一下。

此致、

上越市

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2931690 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、内越

GRSTz 不能悬空或开路、因此只有选项2可行。

谢谢！

SLW

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2931690 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、SLW、

感谢您的答复。我对第11页表7.6的注释感到困惑

>除非 GRSTz 仅连接到一个电容器到 GND、否则 VDD33和 VDD 之间不存在加电关系。 μs VDD 必须在 VDD33之前至少稳定在10 μ s。

我理解这句话的意思如下。

如果首先施加 VDD (1.1V)、则在至少10us 后施加 VDD33、则可以在 GRSTz 引脚上添加任何电容器值。这种理解是否正确？

此外、在 EVM 上、看起来先施加3.3V 电压、然后施加1.1V 电压。 GRSTz 引脚仅连接1uF、似乎不满足3ms 的要求。有什么问题吗？应在 EVM 原理图上使用复位 IC？

此致、

上越市

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2931690 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、SLW、

感谢您的答复。我对第11页表7.6的注释感到困惑

>除非 GRSTz 仅连接到一个电容器到 GND、否则 VDD33和 VDD 之间不存在加电关系。 μs VDD 必须在 VDD33之前至少稳定在10 μ s。

我理解这句话的意思如下。

如果首先施加 VDD (1.1V)、则在至少10us 后施加 VDD33、则可以在 GRSTz 引脚上添加任何电容器值。这种理解是否正确？

此致、

上越市

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2931690 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

上越市

最好同时斜升1.1V 和3.3V、并在 GRSTz 引脚上增加0.1uf 电容。我们将在工作台上验证该问题。

谢谢。

斯坦顿

接口（参考译文帖）

接口（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TUSB8041：不使用外部复位 IC 时的 VDD 和 VDD33序列