您好！
我在使用 IO 扩展器时测试了 MOSFET 功能：
SDL 和 SCL 范围：
‘S将 P17位("源")设置为‘1 '(3.3 VDC)用于源选择、‘0 '用于灌电流选择。
但当我们使用 MOSFET 栅极端子连接 IO 扩展器输出时、发现栅源极端子电压为0.20V
因此、我删除了栅极终端的 IO 扩展器输出连接、并将 IO 扩展器的 VCC 与栅极终端连接、栅源极端子之间的电压为3.2V。没有压降。
请分享您对此问题的评论。
此致、
Kiranjit
尊敬的 Bobby：
感谢您的答复。
MOSFET 问题现已解决。
IO 扩展器的内部寄存器的工作存在一些差异。
如下所示、端口0寄存器用于低8位(LSB)、端口1寄存器用于高8位。 
但观察到输出端口0针对高8位正常工作(与数据表中的预期值相反)。
请提供您对上述意见的评论。
另外、我想知道能否将12个 MOSFET (BSS138LT1G)与 IO 扩展器的 P17位进行连接？ IO 扩展器能够驱动12个 MOSFET (BSS138LT1G)或不能驱动?
请同时告知相关信息。
谢谢。
Gaurav
如下所示、端口0寄存器用于低8位(LSB)、端口1寄存器用于高8位。
但观察到输出端口0针对高8位正常工作(与数据表中的预期值相反)。
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输出端口1将配置引脚 P1x (例如此寄存器的位7控制 P17)的输出状态(高电平或低电平)。
此外，我想我能将12个 MOSFET (BSS138LT1G)与 IO-Expander 的 P17位接口吗？ IO 扩展器能够驱动12个数量的 MOSFET (BSS138LT1G)或不能驱动?驱动 NMOS 通常只需要向栅极施加电压。 如果施加栅极电压、且源极电压产生栅源电压大于 Vth 的栅极电压、则 FET 将在线性区域导通。 并联添加多个 NFET 只会增加引脚需要驱动/克服的电容。 如果需要、您可以在 P17上并联放置12个 FET、但它们都将同时导通/关断、这意味着如果连接到 P17、则无法单独控制每个 FET。 FET 数据表中的 Vth 最大值为1.5V、栅极连接至 P17的 PFET、但没有电流负载、因此栅极电压应显示器件的 Vcc (3.3V)。 在原理图中、源极连接到 FET 的 GND、因此源极始终为 GND、当栅极驱动为高电平时使 Vgs 为3.3V。 这适用于您并联连接的所有12个 FET。 由于 P17的引脚上没有电流负载、因此您无需担心内部 PFET 上的压降或芯片中的温度升高。 通常、建议在驱动器上放置一个弱串联电阻、以确保 CMOS 输入(我们器件的 P 端口将输入和输出端连接在一起)不会因浪涌电流而损坏、尤其是电容性负载(驱动时看起来像是暂时对 GND 短路)。
-鲍比
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