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器件型号：SN75LVDS83B 你(们)好
客户在 RGB 转 LVDS 应用中使用 SN75LVDS83B。
它们 在屏蔽电缆和 SN75LVDS83B 之间使用"33R 磁珠"。
客户产品当前的 EMC 辐射超出标准。
是否有任何方法可以帮助用户降低辐射(降低上升沿速度)。
1. 用户能否调整 IC 的驱动能力?
2. 用户可以用"1uF 电容"代替"33R 磁珠"吗?(我觉得交流耦合不是一个很好的解决方案)
