[参考译文] AM26LV31E：如何通过 AM26LV31C 改善 ESD？

尊敬的 Itoh：

初始数据表中的第一个规格未指定引脚- 第一个规格上的 HBM 指的是总线引脚(因为这是关注 ESD 保护的地方)；而该器件也为所有引脚提供了保护规格。 它还包含 CDM 规范。

2.这些块是相同的- ESD 保护存在于另一个器件中-没有指定所有引脚上非 E 器件的保护级别。  

此致！

帕克·道德森

大家好、Parker-San、

感谢您的答复。

关于#1：非 E 版本的非总线引脚的 ESD 保护是什么？

关于#2，您能告诉我为什么 E 版本的 ESD 性能优于非 E 版本，而块相同吗？

它 在 总线引脚上是否具有更强大的 ESD 二极管？

此致、

伊藤  

尊敬的 Itoh-san：

1.未指定。

2.从架构的角度来看- ESD 保护其实是一个内部二极管-二极管的特性可能会有所不同、但方框图仍然是一样的。 除非您寻找的是使用 ESD 钳位的 EFT 保护、否则大多数其他 ESD 设计在架构上非常相似、但电芯是有区别的。  

在两个器件上、总线引脚的额定电平似乎都相同-"E"版本的优点是您还有 CDM 规格-非 E 版本中未指定。

本质上、您的客户不会因为切换而看到性能下降-它应该处于相同或更好的水平。

此致！

帕克·道德森

大家好、Parker-San、

我想你是误解的东西。

请仔细查看非 E 版本和 E 版本的数据表。

非 E 版本(SLLS201H)：

E 版本(SLLS848B)：

E 版本具有更好的 ESD 规格。

同样、E 版本是否具有 优于 非 E 版本的 ESD 单元？

此致、

伊藤