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[参考译文] TPD1E05U06:TPD1E05U06 ESD 器件的 IL 仿真

Guru**** 2380860 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1254936/tpd1e05u06-il-simulation-of-tpd1e05u06-esd-device

器件型号:TPD1E05U06

ESD 器件并联至电路、如图1所示。 当使用 ADS 对 IL 进行仿真时、电路图2在并联模式下构建、仿真的 IL 如图3所示。 相反、如图4所示、电路是在串联模式下构建的、仿真结果似乎是正确的、如图5所示。

问题1:可以帮助您了解以哪种方式构建仿真串扰及其结果是正确的。

问题2:图5中的结果约为0.2、而规格给出的值相对较大、如图6所示、约为1dB、应以该值为准

(该仿真模型可以从 TI 官网下载)

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    尊敬的 Peter:

    图4中的原理图设置是仿真该器件插入损耗的正确方法。 与实际器件性能相比、仿真模型绝不会具有外部准确性。 我会从数据表的插入损耗图中偏离性能。  

    此致、

    塞巴斯蒂安  

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    您能否确认此 ESD 的最新数据手册是否已更新? 最新插入损耗数据是否仍大于1,、谢谢!

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    尊敬的 Peter:

    此数据表中的插入损耗图是最新的、2.5GHz 信号的插入损耗约为1dB。  

    此致、

    塞巴斯蒂安