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[参考译文] SN75LVDS83B:EMC 如何降低 LVDS 线路的外部辐射能量

Guru**** 2391155 points
Other Parts Discussed in Thread: SN75LVDS83B

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1267283/sn75lvds83b-emc-how-to-reduce-the-external-radiation-energy-of-lvds-line

器件型号:SN75LVDS83B

你好  

我是 Tony Liu。  我的客户在使用 SN75LVDS83BDGGR 芯片时遇到了严重的 EMC 问题。 因为它们的 LVDS 信号线太长、所以会向外辐射能量。

我们是否有可以帮助减少 LVDS 工艺迹线辐射的 HSSC 器件? 此外、国内其他厂商也纷纷推荐 SSDCI1108AF 芯片来解决这一问题。 我对这个芯片的功能不是很了解。 TI 是否有类似的芯片或解决方案?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    SN75LVDS83B 数据表显示其支持扩频时钟。 因此、如果连接到其 CLKIN 引脚的器件使用展频时钟、则该器件是兼容的。 (我不知道哪个器件连接到 Dxx/CKLIN 引脚、或者该器件是如何生成其时钟的。)

    请注意、如果布线正确、差分信号不应产生太大的 EMI。 是否使用双绞线电缆? 此外、插入共模扼流圈可能会有所帮助。

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    尊敬的玉溪:  

    发射在很大程度上是特定于系统和实现的、例如接地技术、布线和布线、参考平面、阻抗控制、 依此类推。  

    正如 Clemens 所指出的、该器件支持 SSC 时钟输入、这可以扩展频率并降低观察到的总峰值。 否则、客户可能需要通过短布线/电缆、埋在内部层上等来进一步优化其布线/布局。

    此致、

    洛根

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    您好、Clemens:

    是的、客户使用10厘米双绞线电缆。

    如何选择合适的共模扼流圈?

    就 SSDCI1108AF 而言,我们有一些功能相同的 IC 吗?

    产品说明书:

    https://datasheet.lcsc.com/lcsc/1912111437_Shenzhen-Top-Flight-Tech-SSDCI1108AF_C347524.pdf

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    10厘米不是很长。 是否有长迹线? 总长度是多少?

    通常、您需要一个 在信号/噪声频率下具有足够低的差模阻抗(< 10 Ω)和高共模阻抗(例如1 kΩ)的共模扼流圈。 对于信号传输、最大电流额定值不是问题。 有许多制造商生产的尺寸为2.0mm×1.2mm 或3.2mm×1.6mm 的扼流圈、例如 ACE1V2012-102-R 或 ACM-31-102M-T。

    SSDCI1108AF 只是时钟发生器。 我不知道连接到 Dxx/CKLIN 引脚的图形设备是否能够使用这样的时钟发生器;请指定这是什么设备。

    另请参阅 《降低 LVDS 串行器/解串器设计中 EMI 的高速布局指南》。