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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1274119/tusb216i-tusb216i-circuit-for-surrounding-parts-value
大家好、
请帮助确认适用于周围器件的 TUSB216I 电路值。
尊敬的 Kevin：
在原理图中、您似乎在高电平使用升压级别1和 RXSEN。 请确认此项。 此外、请记住、在低损耗系统中以高电平使用 RX_SEN 可能会导致性能问题、例如信号中的过冲/下冲、如果它们超过 USB 断开阈值、就可能导致断开。
您是否有铁氧体磁珠的规格？ 如果是、请确保这些特性符合 TI 在其典型应用中建议的特性、100MHz 处为100 Ω。
否则、我认为原理图是正确的。
谢谢。
瑞安
