[参考译文] DS25BR100/DS25BR101输入电容

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主题中讨论的其他器件：DS25BR101、DS25BR100

您好！

我想解决我的问题。

我用 LVDS 发送器保证只有输入电容小于2pF 的接收器具有高速 LVDS 速率(2Gbps)。

我的接收器(FPGA)的问题是输入电容为~8pF。

我认为要实现你的缓冲器 DS25BR100 / DS25BR101 ,因为我看到这个缓冲器有1.2pF 的输入电容,所以这对我的发送器是可以的,但我不确定你的缓冲器是否能驱动良好的信号( LVDS 2Gbps 数据,1GHz 时钟)到我的 FPGA。

您能帮我吗？

谢谢

谢尔盖

0 admin 2 年多前

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谢尔盖

只要有机会使用 DS25BR100 EVM 并进行测试、 https://www.ti.com/tool/DS25BR100EVK?

DS25BR100是一个3.125G LVDS 缓冲器、因此我不会看到它驱动2G LVDS 数据的问题。我们在其数据表中还有测试通道数据、用于显示其驱动能力。

谢谢
大卫

0 admin 2 年多前

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尊敬的 David：

您的缓冲器和发送器是一样的，所以为什么缓冲器输出(发送器)不依赖于负载的 C 输入呢？

我的 PHY LVDS (发送器)承诺在输入负载最大为2pF 的情况下支持2Gbps 的速率、所以我之所以放置您的缓冲器、是因为我输入了缓冲器的电容<2pF、但是缓冲器的输出速率是多少、取决于负载的输入电容？

0 admin 2 年多前

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您好！

我们尚未对具有不同负载电容的 DS25BR100进行表征、我建议您使用 DS25BR100 IBIS 模型模拟不同负载条件、或使用 EVM 进行实际物理测量。可通过该链接 https://www.ti.com/product/DS25BR100#design-development 获取 IBIS 模型。

谢谢

大卫

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