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[参考译文] TUSB8042A:GRSTz 实现

Guru**** 2538950 points
Other Parts Discussed in Thread: TUSB8042A

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1288341/tusb8042a-grstz-implementation

器件型号:TUSB8042A

您好!

我目前正在设计 Orin NX 的载板、其中 TUSB8042A 用于 USB SS 集线器。  

如果我的理解有误、请更正我。

对于电源排序要求、VDD33和 VDD 可以具有任何序列、只要 GRSTz 在 VDD33和 VDD 稳定后的至少3ms 内保持低电平即可。

这似乎与 EVM 的设计方式相匹配、具有由3.3V 电源连接的1.1V 电源、以及一个1uF 电容器接地、可在大于3ms 的时间内充电至2V (VIH、min)。 供电后、GRSTz 开始为低电平、然后通过 PU 电阻器充电、直到 GRSTz 为高电平、启用控制器。

不过、我的困惑是、在时序要求部分注释1的后半部分指出、如果只有一个电容器从 GRSTz 连接到 GND、则需要一个外部信号来触发 GRSTz。 这与语句的前半部分相冲突、也与 EVM 的设计相冲突。

此外,GRSTz 的语言非常令人困惑。 引脚说明中指出、如果 GRSTz 有效、则禁用 IC。 但 GRSTz 为低电平有效、这意味着正常运行时应将 GRST_N 置位、这意味着 GRST 为低电平。

请建议、谢谢。

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    乔纳森:

     您对以下各项的理解是正确的:  

    "对于电源排序要求、VDD33和 VDD 可具有任何序列、只要在 VDD33和 VDD 均稳定后的至少3ms 内 GRSTz 保持低电平即可。"

    对于 GRSTz、z 表示低电平有效(在复位模式下)、当 GRSTz 为高电平时、器件处于正常工作模式。

    此致

    布赖恩

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    注释1的第二部分"时序要求"如何? 从您的响应和 EVM 来看、仅通过在 GRSTz 和 GND 之间连接一个尺寸合适的电容器即可实现正常功能、并且系统首先与 VDD 还是 VDD33是稳定无关。 (例如:VDD33可以在 VDD 之前稳定)

    作为参考、请参阅注释1:"如果 GRSTz 仅连接到一个连接到 GND 的电容器、则 VDD 必须在 VDD33之前具有稳定的最小10 µs 值。"

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    在本说明中:"如果 GRSTz 仅连接到一个连接到 GND 的电容器、则 VDD 必须在 VDD33之前具有稳定的最小10 µs 值。"

     由于 GRSTz 将跟随 VDD33、因此如果 VDD 晚于 VDD33出现。 可能发生这样的情况:VDD 尚不稳定、但 GRSTz 已经变为高电平、则集线器设备可能没有足够的时间进行复位。

    此致

    布赖恩

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    没错、但借助尺寸合适的电容器、可将 GRSTz 设计为在 VDD 稳定后至少3ms 变为高电平?  

    例如、使用1uF 电容器并观察 RPU (14.5k Ω)的最小值、GRSTz 从0V 上升到2V (VIH、MIN)所需的时间为13.51ms。 那么、只要 VDD 在 VDD33稳定后的~9ms 内保持稳定(假设 VDD33稳定后花费小于1ms)、就可以满足时序要求?

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    您好:

    这里有两个.conditions:

    1;如果可以控制 GRSTz、 只要在 VDD 稳定后3ms GRSTz 变为高电平、就没有上电序列。

    2;如果您无法在外部控制 GRSTz 而只在 GRSTz 上使用外部电容器、则 VDD 应在 VDD33之前上升10us。 您不需要在这里满足3ms。 我们建议先设置1uf。

    此致

    布赖恩

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    好的、我将首先尝试使用适当大小的电容器、并在外部电容器不工作时包含外部控制信号选项。 谢谢。